三维微米级多孔铜薄膜的制备方法技术

三维微米级多孔铜薄膜的制备方法，包括：提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中Cu2+含量为0.08～0.2mol/L、H2SO4含量为1.50～3.00mol/L、表面活性剂总含量为0.5～4.0mmol/L、Cl-含量为1.5～3.0mmol/L；以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用氢气泡动态模板电沉积法在所述金属基底上形成三维多孔铜薄膜。根据本发明专利技术的方法所制备的多孔铜薄膜不仅孔径均匀、孔径小且孔隙率高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多孔铜薄膜的制备方法，包括：提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极；配制电镀液，所述电镀液中Cu2+含量为0.08～0.2mol/L、H2SO4含量为1.50～3.00mol/L、表面活性剂总含量为0.5～4.0mmol/L、Cl?含量为1.5～3.0mmol/L；以及利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用氢气泡动态模板电沉积法在所述金属基底上形成三维多孔铜薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黎学明，罗彬彬，赖川，张代雄，杨文静，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：