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本发明涉及一种硅电力电子器件钼片镀镍方法，其特征是：所述钼片放入滚筒内一起浸入镀液中滚镀，镀液中含硫酸镍250g/L、氯化镍50g/L、硼酸45g/L和硫酸镁20g/L；镀液温度40-55℃，pH值为8-9，滚筒转速10-15转/分，电镀电...
该专利属于浙江正邦电力电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江正邦电力电子有限公司授权不得商用。

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