【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及利用金属硬掩模进行。
技术介绍
在半导体制造领域中，通常通过蚀刻在叠层结构中形成开口。图1A示意性地示出蚀刻后具有开口的叠层结构。如图1所示，在半导体衬底110上，在从下至上依次布置的电介质层120、中间层130和金属硬掩模层140的叠层结构中，通过蚀刻形成有开口 150。金属硬掩模层140可被用于采用低介电常数(即低k)电介质材料的互连技术，并且其例如可由氮化钛(TiN)等形成。由于蚀刻，在开口的侧壁和底部上以及在叠层结构上存在大量的蚀刻残余物(图1A中未示出)，这将使半导体器件的性能劣化。因此，通常对蚀刻后具有开口的叠层结构进行清洗处理，以去除蚀刻残余物。本专利技术的专利技术人对现有技术中的进行了深入研究，发现存在以下的问题。例如，电介质层120通 常会被用于去除蚀刻残余物的清洗溶液侵蚀，这在电介质层120是由多孔材料形成时尤为明显。图1B示意性地示出对具有开口的叠层结构进行清洗处理之后的截面图。如图1B所示，用于去除蚀刻残余物的清洗处理期间清洗溶液的侵蚀导致在开口 150的侧壁处在电介质层120和中间层130之间的界面...
【技术保护点】
一种蚀刻后的处理方法，所述蚀刻在从下至上依次布置的电介质层、中间层和金属硬掩模层的叠层结构中形成开口，所述处理方法依次包括以下步骤：对具有所述开口的所述叠层结构进行第一清洗处理，以去除所述金属硬掩模层的至少一部分；以及对具有所述开口的所述叠层结构进行第二清洗处理，以去除蚀刻残余物。
【技术特征摘要】
1.一种蚀刻后的处理方法，所述蚀刻在从下至上依次布置的电介质层、中间层和金属硬掩模层的叠层结构中形成开口，所述处理方法依次包括以下步骤 对具有所述开口的所述叠层结构进行第一清洗处理，以去除所述金属硬掩模层的至少一部分；以及 对具有所述开口的所述叠层结构进行第二清洗处理，以去除蚀刻残余物。2.根据权利要求1所述的蚀刻后的处理方法，其中，所述处理方法还包括以下步骤 在对具有所述开口的所述叠层结构进行第一清洗处理之前，对具有所述开口的所述叠层结构进行预清洗处理。3.根据权利要求1或2所述的蚀刻后的处理方法，其中，所述处理方法还包括以下步骤 在对具有所述开口的所述叠层结构进行第二清洗处理之后，在所述开口的侧壁和底壁上依次形成阻挡层和籽晶层，并在所述开口中填充铜。4.根据权利要求1或2所述的蚀刻后的处理方法，其中，所述处理方法还包括以下步骤 在对具有所述开口的所述叠层结构进行第二清洗处理之后，对具有所述开口的所述叠层结构在所述电介质层之上的部分进行溅射处理，以去除所述部分至少在所述开口的顶部边缘处的角部。5.根据权利要求4所述的蚀刻后的处理方法，其中，所述处理方法还包括以下步骤 在对具有所述开口的所述叠层结构在所述电介质层之上的部分进行溅射处理之后，在所述开口的侧壁和底壁上依次形成阻挡层和籽晶层，并在所述开口中填充铜。6.根据权利要求1或2所述的蚀刻后的处理方法，其中，所述第一清洗处理是利用过氧化氢溶液进行的。7.根据权利要求6所述的蚀刻后的处理方法，其中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，胡敏达，周俊卿，王冬江，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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