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本发明涉及蚀刻后的处理方法。所述蚀刻在从下至上依次布置的电介质层、中间层和金属硬掩模层的叠层结构中形成开口。所述处理方法依次包括以下步骤：对具有所述开口的所述叠层结构进行第一清洗处理，以去除所述金属硬掩模层的至少一部分；以及对具有所述开口的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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