屏蔽层制造方法技术

本发明专利技术公开了一种屏蔽层制造方法，能以多种真空溅镀法在单颗IC芯片上制造屏蔽层，其包含下列步骤：以遮蔽治具遮蔽若干个IC芯片，并将其固定于工件架上；将腔室抽真空至一预处理真空度；当腔室的真空度到达工作真空度时，持续通入可电浆化的气体，并对若干个IC芯片的表面的封装材料进行离子轰击，使封装材料上产生碳悬键衔接层；以若干种真空溅镀法在碳悬键衔接层上依序形成一第一镀膜层、一第二镀膜层、一第三镀膜层；以及破真空，取出完成镀膜的若干个IC芯片。本发明专利技术可在同一设备中执行离子轰击、偏压、直流溅镀、中频溅镀及多弧离子镀等PVD制程，且利用PVD制程可使镀上的膜层更具有附着力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及一种，特别是涉及一种能够以真空溅镀法在单颗IC 芯片上制造屏蔽层的方法。
技术介绍
随着科技的进步，电子产品愈来愈小型化，但其功能却是愈来愈强大。因此电子产品内部的集成电路(Integrated Circuit, IC)复杂度及密度日渐升高,其内部的传输导线及电源等部份，或电路板上其它具有较高的工作频率的电子组件都会对外发出电磁波，如此很容易与其它组件产生电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)的情况,使得电路无法正常运作。因此，如何克服电磁干扰对电路的影响已经成为一个重要的议题。一般来说，传统的电路板中常看到以金属外壳包覆住电路板的一部分，藉以保护电路板不受电磁干扰的影响。如图1所示，金属外壳11包覆住电路板I的IC芯片12，以解决电磁干扰的问题，但由于金属外壳11需要独立的制作程序，且需要额外的人工将其组成于电路板I上，成本十分高昂。另外，金属外壳I常以焊接或其它方式固定于电路板I上， 如此则增大了电路板I的尺寸，如IC芯片12需要维修或替换时，需要拆装金属外壳11，十分不便且容易造成电路板I损坏。而散热方面也是一个很大的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种屏蔽层制造方法，其包含下列步骤：以一遮蔽治具遮蔽若干个集成电路芯片，并将其固定于一工件架上；将一腔室抽真空至一预处理真空度；当所述腔室的真空度达到一工作真空度时，持续通入一可电浆化的气体，并对所述若干个集成电路芯片的表面的一封装材料进行离子轰击，使所述封装材料的表面形成一碳悬键衔接层；以若干种真空溅镀法在所述碳悬键衔接层上形成一第一镀膜层及一第二镀膜层；以及破真空，取出完成镀膜的所述若干个集成电路芯片。

【技术特征摘要】
2011.10.14 TW 1001372521.一种屏蔽层制造方法，其包含下列步骤 以一遮蔽治具遮蔽若干个集成电路芯片，并将其固定于一工件架上； 将一腔室抽真空至一预处理真空度； 当所述腔室的真空度达到一工作真空度时，持续通入一可电浆化的气体，并对所述若干个集成电路芯片的表面的一封装材料进行离子轰击，使所述封装材料的表面形成一碳悬键衔接层； 以若干种真空溅镀法在所述碳悬键衔接层上形成一第一镀膜层及一第二镀膜层；以及 破真空，取出完成镀膜的所述若干个集成电路芯片。2.如权利要求1所述的屏蔽层制造方法，其特征在于所述若干种真空镀膜法包含一中频溅镀、一直流溅镀或一多弧离子镀。3.如权利要求2所述的屏蔽层制造方法，其特征在于所述第一镀膜层为一金属衔接层，其以所述中频溅镀或所述多弧离子镀形成。4.如权利要求2所述的屏蔽层制造方法，其特征在于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱耀弘，柳朝纶，范淑惠，
申请(专利权)人：晟铭电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：