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本发明公开了一种屏蔽层制造方法，能以多种真空溅镀法在单颗IC芯片上制造屏蔽层，其包含下列步骤：以遮蔽治具遮蔽若干个IC芯片，并将其固定于工件架上；将腔室抽真空至一预处理真空度；当腔室的真空度到达工作真空度时，持续通入可电浆化的气体，并对若干...
该专利属于晟铭电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晟铭电子科技股份有限公司授权不得商用。

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