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本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成第一III-V族层。第一III-V族层包括具有第一表面形态的表面。该方法包括穿过表面对第一III-V族层实施离子注入工艺。离子注入工艺将第一表面形态改变为第二表面形态。在实施离子...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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