一种鳍型场效应晶体管(FinFET)包括鳍片，该鳍片包括具有第一带隙的沟道分离件，以及包括位于沟道分离件的相对侧壁上的第一部分和第二部分的沟道。沟道具有小于第一带隙的第二带隙。栅电极包括位于鳍片的相对面上的第一部分和第二部分。栅极绝缘层...

一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括硅衬底、位于硅衬底上方的非故意掺杂的氮化镓(UID?GaN)层。该HEMT进一步包括位于UID?GaN层上方的施主供应层、位于施主供应层上方的栅极结构、漏极和源极。该HEMT进一步包括位于施主供应层...

具有位于源极和漏极之间的岛状件的电路结构。电路结构包括：衬底；位于衬底上方的非故意掺杂氮化镓(UID?GaN)层；位于UID?GaN层上方的供给层；位于供给层上方的栅极结构、漏极、及源极。多个岛状件位于栅极结构和漏极之间的供给层的上方。...

本发明提供了一种包括有非划片槽区域和划片槽区域的半导体图像传感器件。该图像传感器件包括设置在非划片槽区域中的第一衬底部分。该第一衬底部分包括掺杂辐射感测区域。该图像传感器件包括设置在划片槽区域中的第二衬底部分。该第二衬底部分具有与第一衬...

本发明公开了一种具有隔离部件的半导体器件。所述半导体器件包括多个设置在半导体衬底上的栅极结构、形成在所述多个栅极结构的各个侧壁上的多个电介质材料的侧壁间隔件、设置在所述半导体衬底和所述栅极结构上的层间电介质(ILD)、嵌入所述半导体衬底...

一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底中的第一功率器件和第二功率器件；位于第一和第二功率器件之间的至少一个隔离部件；以及位于衬底中的邻接至少一个隔离部件的俘获部件。本发明提供了局部载流子寿命减少的结构及其形成方法。

提供用于隔离和抑制半导体封装件中的诸如EM辐射的电子噪声的中介层和半导体封装件实施例。在各个实施例中，中介层包括屏蔽结构，该屏蔽结构将来自噪声源的电噪声与其他电信号或器件阻隔开。在一些实施例中，屏蔽件包括实心结构，而在其他实施例中其包括...

本发明提供了形成镶嵌互连结构的机构。形成上述互连结构的机构涉及使用经过回流的导电层。经过回流的导电层在较小开口中的厚度大于在较宽开口中的厚度。在一些实施例中，机构可以进一步涉及在回流导电层上方形成金属保护层。通过所述机构形成的互连结构具...

所述的形成多芯片封装件的机制使具有不同凸块尺寸的芯片能够封装到公共基板。可以将具有较大凸块的芯片和基板上的两个或者两个以上的较小凸块接合起来。相反，可以将芯片上的两个或者两个以上的小凸块和基板上的大凸块接合起来。通过允许将具有不同尺寸的...

一种结构包括形成在接合焊盘下方的顶部金属连接件。接合焊盘被第一钝化层和第二钝化层包围。聚合物层进一步形成在第二钝化层上。第一钝化层中的开口的尺寸小于顶部金属连接件的尺寸。顶部金属连接件的尺寸小于第二钝化层中的开口的尺寸以及聚合物层中的开...

本发明公开了一种用于形成凸块结构的机制，其降低了芯片和封装件衬底之间的间距变化。通过在电镀之后平坦化芯片和/或衬底上的凸块结构的焊料层，使得因管芯内和晶圆内位置、图案密度、管芯尺寸以及工艺变化引起的凸块结构的高度变化降至最小。结果，可将...

本发明提供了用于形成细间距铜凸块结构的机构。所描述的形成铜柱结构的机构使在平坦导电表面上形成铜柱结构成为可能。另外，铜柱结构由杨氏模量比聚酰亚胺更高(或更硬的材料)的模塑层支持。所形成的铜柱结构大大减小了钝化层碎裂和围绕铜柱结构的电介质...

一种封装元件包括衬底，其中衬底具有正面和位于正面上方的背面。通孔穿透通过衬底。导电部件设置在衬底的背面的上方并且与通孔电连接。第一介电图案形成覆盖导电部件的边缘部分的环。凸块下金属化层(UBM)设置在导电部件的中心部分的上方并且与该中心...

一种封装元件包括：位于该封装元件的顶面上方的金属迹线和位于金属迹线的下方并且与该金属迹线接触的锚定通孔。锚定通孔被配置成不传导流经金属迹线的电流。本发明还提供了封装件中的凸块导线直连结构。

一种形成具有电熔丝的集成电路的方法包括在衬底的上方形成至少一个晶体管。形成至少一个晶体管包括在衬底的上方形成栅极电介质结构。功函金属层形成在栅极电介质结构的上方。导电层形成在功函金属层的上方。源极/漏极(S/D)区域被形成为与栅极电介质...

一种方法包括：同时对第一材料的第一表面和第二材料的第二表面实施等离子体处理，其中，第一材料不同于第二材料。第三材料形成在第一材料的经处理的第一表面上以及第二材料的经处理的第二表面上。第一、第二和第三材料可以分别包括硬掩模、半导体材料和氧...

一种工件传送系统具有多个连接器，每个连接器具有轴承和主变压器线圈和副变压器线圈，其中提供给每个连接器的主和副变压器线圈之一的电力在各自连接器的主变压器线圈和副变压器线圈之间产生互感，这样提供了通过每个连接器的无接触电力。至少第一对臂通过...

本发明涉及一种晶圆分离和清洁装置，包括自动晶圆处理模块。自动晶圆处理模块将半导体晶圆加载到用于分离工艺的晶圆分离模块中。自动晶圆处理模块从晶圆分离模块移除半导体晶圆并且将半导体晶圆加载到用于清洁工艺的晶圆清洁模块。还提供了晶圆分离和清洁...

本发明公开了监测集成电路制造系统的工艺设备的方法和系统。一种示例性方法包括限定集成电路制造工艺设备的区域；基于所限定的区域将集成电路制造工艺设备的参数分组；并且基于所分组的参数评估集成电路制造工艺设备的状态。本发明还公开了集成电路制造设...

公开了在凹槽的表面上形成并去除反应层以提供用于改善在该凹槽中形成的半导体材料的厚度均匀性的机构的方法。改善的厚度均匀性反过来又改善了器件性能的均匀性。本发明提供了用于改善应变结构的厚度均匀性的反应层。