一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上方，并且在组成上不同于第一III-V族化合物层。载流子沟道位于第一III-V族化合物层和第二III-V族化合物层之...

本发明公开了一种CMOS?FinFET器件以及用于制造CMOS?FinFET器件的方法。示例性CMOS?FinFET器件包括具有第一区域和第二区域的衬底。CMOS?FinFET器件还包括设置在所述衬底上的鳍式结构，该鳍式结构包括第一区域...

一种用于单元库的保护单元。保护单元限定用于IC的保护电路，IC包括：驱动器件，具有第一电源电压Vdd1和输出；以及被驱动器件，具有输入和第二电源电压Vdd2。保护电路包括来自由P型二极管和栅极VddPMOS组成的组的第一器件。第一器件连...

本发明提供了一种静电放电(ESD)保护器件。该ESD包括由具有第一掺杂类型的半导体材料形成的阱区和由具有第二掺杂类型的半导体材料形成的浮置基极。该浮置基极垂直设置在阱区的上方。该ESD还包括由具有第三掺杂类型的半导体材料形成的第一终端接...

本发明公开了一种用于层叠封装结构的方法和装置。该结构包括：第一集成电路封装件，所述第一集成电路封装件包括布置在第一衬底上的至少一个集成电路器件，以及从第一衬底的底面延伸并且以邻近第一衬底的外围的一列或者多列的图案布置的多个层叠封装连接件...

本发明提供了一种器件，包括衬底、位于衬底上方的金属焊盘，以及具有位于金属焊盘上方部分的钝化层。钝化后互连(PPI)线设置在钝化层上方并且电耦合至金属焊盘。凸块底部金属(UBM)设置在PPI线上方并且电耦合至PPI线。无源器件包括位于与U...

本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：形成在第一衬底上第一电感器；形成在第二衬底上并且与第一电感器电感耦合作为变压器到的第二电感器；以及多个微凸块元件，被配置在第一衬底和第二衬底之间。多个微凸块元件包括：具有基本大于1的磁导率并...

提供了在半导体器件衬底上形成模塑料使晶圆级封装(WLP)中的扇出结构成为可能的机制。该机制包括覆盖包围接触焊盘的绝缘层的部分表面。该机制改善了封装件的可靠性和封装工艺的工艺控制。该机制还降低了界面分层的风险，以及在后续加工期间绝缘层的过...

一种装置，包括被配置成供应导线的线轴、被配置成在导线中形成凹槽的切割器件，和被配置成接合导线并形成柱形凸块的毛细管。装置进一步地被配置成拉动导线以在凹槽处断开，其中，尾部区附接至柱形凸块。本发明还提供了柱形凸块的形成方法及其实施装置。

对第一半导体区的表面实施处理，其中使用包括含氧气体和用于蚀刻半导体材料的蚀刻气体的工艺气体实施该处理。实施外延以在第一半导体区的表面上生长第二半导体区。本发明还公开了用于半导体再生长的方法。

本发明公开了半导体器件和晶体管的制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括提供包括多个鳍的工件，以及在多个鳍的顶面上方形成半导体材料。在半导体材料上方形成蚀刻停止层，以及在蚀刻停止层上方设置绝缘材料。从多个鳍的上方去除该绝缘...

一种制造半导体器件的多个部件的方法包括在硅层上方提供介电层，以及蚀刻介电层和硅层从而在介电层和硅层中形成多个第一孔径，其中将多个第一孔径中的邻近孔径分开第一间距。该方法进一步包括在介电层中蚀刻多个第二孔径，多个第二孔径中的每个孔径都具有...

本发明公开了形成单鳍鳍式场效晶体管FinFET的方法。一种示范性的方法包括提供主掩模布局和齐整掩模布局以形成FinFET器件的鳍状件，其中所述主掩模布局包括第一掩蔽部件以及所述齐整掩模布局包括限定至少二个鳍状件的第二掩蔽部件，所述第一掩...

在一些实施例中，本发明涉及一种等离子体蚀刻系统，该等离子体蚀刻系统具有与处理室连通的直流和局部化等离子体源。直流等离子体源用于将直流等离子体提供给处理室以蚀刻半导体工件。直流等离子体具有通过将大的偏压施加给工件形成的高电势。在完成蚀刻以...

本发明公开了一种用于创建双图案化兼容集成电路布局的方法。该方法允许图案被分配给不同掩模并且在光刻期间被缝合在一起。该方法还允许图案的部分在工艺之后被去除。本发明还公开了用于双图案化兼容标准单元设计的缝合和修整方法。

本发明提供了ESD保护器件以及用于形成ESD保护器件的方法，其中，提供了一种电路，该电路具有射频(RF)输入端；电感器，位于RF输入端和RF前端电路之间；第一二极管，连接到RF输入端和电感器以及电源线；以及第二二极管，连接到RF输入端和...

本发明涉及采用自动置放和布线（APR）方法生成的容忍电迁移的电源分配网络。在一些实施方式中，自动置放和布线工具构造了具有多层电源导轨的局部电源网。所述多层电源导轨具有垂直相邻金属层的交错段，其中每个交错段的长度比相当于Blech长度的预...

一种压控振荡器电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第一谐振电路、第二谐振电路、第一电流路径和第二电流路径。第一晶体管的漏极连接至第二晶体管的栅极以及第一谐振电路的第一端。第一晶体管的源极连接至第一电流路径以及第二谐振电路的第一端。第二晶...

一种薄膜太阳能电池及其形成工艺。太阳能电池包括底部电极层、半导体光吸收层、顶部电极层、以及保护性防潮层。在一些实施例中，防潮层由不易与水反应的材料形成。防潮层帮助保护顶部电极层免受由水和氧引起的暴露和损害。本发明提供了用于形成太阳能电池...

本发明描述的工艺和结构的实施例提供用于改善载流子迁移率的机制。在晶体管沟道区附近的由掺杂的外延材料生成的在源极区和漏极区内的位错和产生的应变均对沟道区内的应变起作用。因此，提高了器件性能。本发明还公开了用于在半导体器件中形成应激源区的机制。