提供了用于封装的应力补偿层及其形成方法。应力补偿层放置在基板的与集成电路管芯相对的面上。应力补偿层被设计成抵消由位于基板的管芯面上的结构施加的至少一些应力，诸如，由至少部分地封装第一集成电路管芯的模塑料所施加的应力。封装件也可以与基板电...

实施例是一种形成微机电系统(MEMS)器件的方法。该方法包括在第一衬底上方形成MEMS结构，其中，该MEMS结构包括活动元件；在第一衬底上方形成接合结构；以及在第一衬底上方形成支撑结构，其中，该支撑结构从接合结构突出。该方法另外包括将M...

一种PLL电路包括：相位频率检测器；可编程电荷泵，连接至相位频率检测器的输出端；环路滤波器，连接至电荷泵的输出端，环路滤波器提供微调电压；第一电压电流转换器，第一电压至电流转换器提供对应微调电压的微调电流；电流控制振荡器(CCO)；反馈...

半导体衬底具有至少两个有源区，每一个具有至少一个有源器件，该有源器件包括栅电极层；以及位于有源区之间的浅沟槽隔离（STI）区。去耦电容器包括在STI区上方的同一栅电极层中形成的第一伪导电图案和第二伪导电图案。第一伪导电图案和第二伪导电区...

一种位于半导体器件中的隔离结构吸收电子噪声，并且防止衬底漏电流到达其它器件和信号。该隔离结构提供双深N阱（“DNW”）隔离结构，DNW隔离结构围绕RF（射频）器件或其它电子噪声源。该DNW隔离结构延伸到衬底中到达至少大约2.5μm的深度...

本发明公开了一种具有位错的半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件和用于制造半导体器件的方法提高载流子迁移率。该方法包括：提供其中具有隔离部件的衬底和位于衬底上方的两个栅叠层，其中，栅叠层之一位于隔离部件的顶部。该方法进一步包...

提供了制造半导体器件的方法，该半导体器件包括金属栅极晶体管和电阻器。一种方法包括：提供衬底，该衬底包括晶体管器件区和隔离区；在晶体管器件区上方形成伪栅极以及在隔离区上方形成电阻器；以及用掺杂剂注入电阻器。该方法还包括：湿法蚀刻伪栅极以去...

一种封装件及其形成方法，包括：在衬底上方形成介电层；在介电层上方形成互连结构；以及接合管芯至互连结构。然后去除衬底，并且使介电层图案化。在介电层的表面形成连接件，其中将连接件电连接至管芯。本发明还提供了一种封装件。

一种方法包括在金属焊盘上方形成聚合物层；在聚合物层中形成开口从而暴露出金属焊盘的一部分；以及形成凸块下金属化层(UBM)。该UBM包含延伸至开口内的电连接至金属焊盘的部分。本发明提供了用于集成电路的UBM的形成。

在形成器件的方法中，蚀刻(110)硅衬底以在(110)硅衬底中形成第一沟槽，其中，位于第一沟槽之间的(110)硅衬底的剩余部分形成硅条。硅条的侧壁具有(111)表面方向。用电介质材料填充第一沟槽以形成浅沟槽隔离(STI)区域。去除硅条以...

一种方法包括形成ESD二极管，包括实施外延生长以形成包含硅并且基本上不包含锗的外延区域。利用p型杂质掺杂该外延区域以形成p型区域，其中，该p型区域形成ESD二极管的阳极。本发明提供了IO?ESD器件及其形成方法。

一种方法，包括提供多个相互平行的半导体鳍状件，并包括两个边缘鳍状件和位于两个边缘鳍状件之间的中心鳍状件。两个边缘鳍状件的每一个的中部被蚀刻，而中心鳍状件不被蚀刻。栅极电介质形成在中心鳍状件的顶面和侧壁上。栅电极形成在栅极电介质的上方。两...

一种方法包括：在第一半导体鳍状件上形成包括栅电极的栅极堆叠件。栅电极包括位于第一半导体鳍状件的中部上方并且与其对准的部分。第二半导体鳍状件位于栅电极的一侧上，并且不延伸到栅电极下方。第一和第二半导体鳍状件相互间隔开并且相互平行。第一半导...

本发明提供了金属硬掩模的制造方法和由这些方法制造的金属硬掩模。方法包括将至少一种金属反应气体流入被配置为进行化学汽相沉积(CVD)的反应室中，其中，至少一种金属反应气体包括，金属卤素气体或金属有机气体。该方法进一步包括，使用至少一种金属...

本发明提供了用于诊断集成电路中的故障的系统和方法。在一个实施例中，该装置包括与缓冲器链串联连接的诊断单元。诊断单元包括多个逻辑运算器，当被激活时，使从缓冲器链接收的信号反相。使来自缓冲器链的信号的反相允许诊断单元通过用于测试方法的扫描链...

微机电系统(MEMS)器件及其形成方法。该MEMS器件可以包括位于第一衬底上方的MEMS结构。该MEMS结构包括可移动元件。在第一衬底上方沉积第一导电材料并在第二衬底中蚀刻沟槽。用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上方沉积第...

本发明涉及电平移位电路和使用电平移位电路的半导体器件。一种电平上移电路包括第一电路、第二电路和输出电压控制电路。第一电路连接到输入节点、输出节点和第一供电电压节点并且配置成根据施加到所述输入节点的输入电压将在所述输出节点的输出电压拉向所...

一种薄膜光电电池及其形成方法。该薄膜光电电池包括在衬底上形成的第一电极层。第一掺杂剂类型的吸收层形成在第一电极层上。吸收层具有从吸收层的顶面部分地延伸至吸收层内的开口。该开口具有侧壁和底面。第二掺杂剂类型的缓冲层形成在吸收层的顶面、开口...

一种高电子迁移率晶体管（HEMT），包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上方，并且在组成上不同于第一III-V族化合物层。载流子沟道位于第一III-V族化合物层和第二III-V族化合物层之...

本发明提供了一种使用鳍式场效应晶体管（FinFET）互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺流程所形成的双极结型晶体管（BJT）。该BJT包括形成在衬底上方的发射极鳍、基极鳍以及集电极鳍。基极鳍围绕着发射极鳍，并且集电极鳍围绕着发射极鳍。在...