IO ESD器件及其形成方法技术

一种方法包括形成ESD二极管，包括实施外延生长以形成包含硅并且基本上不包含锗的外延区域。利用p型杂质掺杂该外延区域以形成p型区域，其中，该p型区域形成ESD二极管的阳极。本发明专利技术提供了IO?ESD器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，具体而言，涉及输入/输出(IO)静电放电(ESD)器件及其形成方法。
技术介绍
在输入/输出(IO)电路中，需要占据大芯片面积的大二极管来进行静电放电(ESD)保护。对ESD 二极管而言，释放ESD电流的能力部分地取决于二极管的尺寸。因此，二极管被设计成尽可能大。另外，根据设计规则的需要，二极管的阳极和阴极的尺寸影响着位于相应的阳极和阴极正上方的金属线的宽度。因此，为了使位于二极管正上方的金属线获得良好的电迁移性能，ESD 二极管被设计成具有大的阳极拾取区域(pickup region)和/或大的阴极拾取区域，而不将其设计成包括多个窄阳极拾取区域和/或窄阴极拾取区域。当形成ESD 二极管的工艺与形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的工艺结合起来时，可以通过从半导体鳍片外延生长拾取区域来形成大的阳极拾取区域和/或大的阴极拾取区域，并且将从相邻的鳍片生长的外延区域合并以形成大的拾取区域。然而，可以发现，大的外延区域中的一些可以具有比同时形成的小的外延区域小得多的厚度。结果，在ESD 二极管中产生明显的泄漏电流。
技术实现思路
一方面，本专利技术提供了一种方法，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：形成静电放电（ESD）二极管，包括：实施外延生长以形成包含硅并且基本上不包含锗的外延区域；以及利用p型杂质掺杂所述外延区域，从而形成p型区域，其中，所述p型区域形成所述ESD二极管的阳极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李东颖，郭文晖，张志豪，张守仁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：