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一种方法包括形成ESD二极管，包括实施外延生长以形成包含硅并且基本上不包含锗的外延区域。利用p型杂质掺杂该外延区域以形成p型区域，其中，该p型区域形成ESD二极管的阳极。本发明提供了IO?ESD器件及其形成方法。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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