FinFET及其形成方法技术

一种方法，包括提供多个相互平行的半导体鳍状件，并包括两个边缘鳍状件和位于两个边缘鳍状件之间的中心鳍状件。两个边缘鳍状件的每一个的中部被蚀刻，而中心鳍状件不被蚀刻。栅极电介质形成在中心鳍状件的顶面和侧壁上。栅电极形成在栅极电介质的上方。两个边缘鳍状件的端部和中心鳍状件的端部凹进。执行外延，以形成外延区域，其中从由两个边缘鳍状件的端部留下的间隔生长的外延材料与从由中心鳍状件的端部留下的间隔生长的外延材料相结合，以形成外延区域。源极/漏极区域形成在外延区域中。本发明专利技术还提供了一种FinFET及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种加强结构。
技术介绍
随着集成电路的尺寸的持续降低和对集成电路速度需求的持续增长，晶体管需要以较小的尺寸具有较高的驱动电流。由此开发了鳍状场效应晶体管(FinFET)。FinFET晶体管具有增加的沟道宽度。沟道宽度的增加通过形成包括在鳍状件的侧壁上的部分和在鳍状件的顶面上的部分的沟道而获得。FinFET可为双栅极FET，其包括在相应鳍状件的侧壁上的沟道，但在相应鳍状件的顶面上不存在沟道。FinFET还可为三栅极FET，其包括在相应鳍状件的侧壁和顶面上的沟道。由于晶体管的驱动电流正比于沟道宽度，因此FinFETs的驱动电流得到增加。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种方法，包括:提供一种结构，所述结构包括:半导体衬底；隔离区域，位于所述半导体衬底的表面上；多个半导体带状件，位于所述隔离区域之间；以及多个半导体鳍状件，位于所述多个半导体带状件中相应半导体带状件上方并与所述多个半导体带状件中相应半导体带状件对准，其中，所述多个半导体鳍状件相互平行并包括两个边缘鳍状件和位于所述两个边缘鳍状件之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：提供一种结构，所述结构包括：半导体衬底；隔离区域，位于所述半导体衬底的表面上；多个半导体带状件，位于所述隔离区域之间；以及多个半导体鳍状件，位于所述多个半导体带状件中相应半导体带状件上方并与所述多个半导体带状件中相应半导体带状件对准，其中，所述多个半导体鳍状件相互平行并包括两个边缘鳍状件和位于所述两个边缘鳍状件之间的中心鳍状件；蚀刻所述两个边缘鳍状件中的每一个的中部；在所述中心鳍状件的中部的侧壁上形成栅极电介质；在栅极电介质上方形成栅电极；执行外延，以形成外延区域，其中，所述外延区域延伸至所述两个边缘鳍状件下面的所述多个半导体带状件中的两个的上方，并且延伸至所述中心鳍状件下面的...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：何嘉政，陈自强，林以唐，张智胜，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：