【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制作领域，特别涉及一种。
技术介绍
随着集成电路制造技术的不断发展，MOS晶体管的特征尺寸也越来越小，为了降低MOS晶体管栅极的寄生电容，提高器件速度，高K栅介电层与金属栅极的栅极叠层结构被引入到MOS晶体管中。为了避免金属栅极的金属材料对晶体管其他结构的影响，所述金属栅极与高K栅介电层的栅极叠层结构通常采用“后栅(gate last)”工艺制作。图1 图3为现有采用“后栅(gate last) ”工艺制作金属栅极的剖面结构示意图。参考图1，提供半导体衬底100，所述半导体衬底100上形成有替代栅结构，所述替代栅结构包括位于半导体衬底100上的栅介质层103和位于栅介质层103上的替代栅102 ；在半导体衬底100上形成覆盖所述替代栅结构的刻蚀停止层104 (CESL, contact etch stoplayer);在刻蚀停止层104表面形成介质层105。所述刻蚀停止层104的材料为压应力氮化娃(compressive SiN)或拉应力氮化娃(tensile SiN)，当待形成的金属栅极为NMOS晶体管的金属栅极时，所述刻蚀停止层104的材...
【技术保护点】
一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有替代栅，所述替代栅的表面和侧壁以及半导体衬底表面形成有刻蚀停止层；在刻蚀停止层表面形成有机抗反射涂层，有机抗反射涂层的表面高于替代栅的表面；刻蚀去除部分厚度的有机抗反射涂层和刻蚀停止层，暴露部分高度的替代栅；去除剩余的有机抗反射涂层；形成覆盖刻蚀停止层表面以及替代栅的介质层，所述介质层表面与替代栅表面平齐；去除所述替代栅，形成凹槽，在凹槽内填充满金属，形成金属栅极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：倪景华，李凤莲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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