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一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有替代栅，所述替代栅的表面和侧壁以及半导体衬底表面形成有刻蚀停止层；在刻蚀停止层表面形成有机抗反射涂层，有机抗反射涂层的表面高于替代栅的表面；刻蚀去除部分厚度的有机抗反射涂层...
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