一种应用于反激式开关电源芯片的过热保护电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种应用于反激式开关电源芯片的过热保护电路
本技术涉及一种应用于反激式开关电源芯片的过热保护电路。
技术介绍
反激式开关电源系统一般工作在密闭的环境当中，密闭的环境会使开关电源芯片的温升加大。开关电源芯片的温度每升高2℃，其安全性、可靠性就会下降10%。为了保护开关电源芯片，使其在高温时不被损坏，必须在芯片内部添加过热保护电路，当开关电源芯片工作温度超过允许温度时，保护电路将关闭功率MOS管。现有的过热保护电路大多在芯片外围添加热敏线圈或热敏电阻，这样其保护灵敏度不够，不能及时地保护开关电源芯片，而且成本较高；采用BiCMOS的工艺的过热保护电路，虽然结构简单，但是必须使用固定的偏置电路，这样的电路功耗较大。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种应用于反激式开关电源芯片的过热保护电路，在减少成本的前提下，保证保护灵敏度，降低芯片功耗。为实现上述目的本技术采用以下技术方案实现：一种应用于反激式开关电源芯片的过热保护电路，其特征在于：包括第一MOS管、第二MOS管、第一电阻、第一三极管和第一比较器，所述第一MOS管的源极、第二MOS管的源极分别与内部电源连接，所述第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极分别与偏置电压连接，所述第一MOS管的漏极与第一三极管的集电极连接，所述第一三极管的基极分别与第二MOS管的漏极、第一电阻的一端及第一比较器的正输入端连接，所述第一三极管的发射极、第一电阻的另一端接地，所述第一比较器的负输入端与参考电压连接，所述第一比较器的输出端作为逻辑输出端。本技术与现有技术相比具有以下有益效果：本技术利用三极管的Vbe电压的负温度系数...
【技术保护点】
一种应用于反激式开关电源芯片的过热保护电路，其特征在于：包括第一MOS管、第二MOS管、第一电阻、第一三极管和第一比较器，所述第一MOS管的源极、第二MOS管的源极分别与内部电源连接，所述第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极分别与偏置电压连接，所述第一MOS管的漏极与第一三极管的集电极连接，所述第一三极管的基极分别与第二MOS管的漏极、第一电阻的一端及第一比较器的正输入端连接，所述第一三极管的发射极、第一电阻的另一端接地，所述第一比较器的负输入端与参考电压连接，所述第一比较器的输出端作为逻辑输出端。
【技术特征摘要】
1.一种应用于反激式开关电源芯片的过热保护电路，其特征在于：包括第一MOS管、第二MOS管、第一电阻、第一三极管和第一比较器，所述第一MOS管的源极、第二MOS管的源极分别与内部电源连接，所述第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极分别与偏置电压连接，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵旭初，刘伟城，江典棋，王文强，朱宇耀，
申请(专利权)人：福州福大海矽微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35
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