【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法。
技术介绍
目前，在半导体器件工艺过程中，通常会在B离子注入形成PMOS源漏后，会使用BF2取代B进行源漏注入(由于氟可以在Si02/Si界面形成较强的S1-F-H键，通过减少S1-H键，能明显减少栅极氧化层表面的界面的陷阱Qit)，使得掺杂在BF2中的少量F离子能够穿透至栅极，以减少Si02/Si界面的陷阱，进而有效改善NBTI的性能。但是，随着工艺的发展，对器件的性能要求越来越高，尤其是超浅结工艺的限制，使得无法使用较大能量的BF2注入，只能在源漏区通过增加较低能量的纯F离子注入，用以改善PMOS的性能。由于过多的F离子会加速硼(B)原子在栅氧(gate oxide)中的扩散，会使得PN结的漏电流加大。所以，在F离子或BF2注入后，容易造成在后续的热制程工艺中形成氟气外溢，而导致覆积在有源区上面的氮化膜形成鼓包缺陷，即要控制进行F离子或BF2离子注入时的剂量，以避免缺陷的产生。传统控制F离子或BF2离子注入时的剂量时，主要是采用HF溶液进行预清洗工艺(pre-clean),以...
【技术保护点】
一种提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于，包括：采用预清洗工艺对一半导体衬底的表面进行处理；继续对所述半导体衬底进行栅氧生长工艺后，进行退火工艺；其中，所述预清洗工艺为SiCoNi清洗工艺。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周军，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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