一种对InP材料进行减薄和抛光的方法技术

本发明专利技术公开了一种对InP材料进行减薄和抛光的方法，包括：制作对InP材料进行减薄用的硅片研磨衬垫；利用该硅片研磨衬垫对InP材料进行减薄；对InP材料进行化学机械抛光；对完成化学机械抛光的InP材料进行清洗；以及将清洗后的InP材料放入ICP刻蚀机进行等离子抛光。利用本发明专利技术，大大提高了减薄效果，实现了无污染，低损伤，高效率，镜面效果的减薄抛光衬底，解决了InP?MMIC后道的工艺难题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及InP MMIC制备
，尤其涉及一种改进的对InP材料进行减薄和抛光的方法。
技术介绍
随着高新技术不断应用于军事领域，射频微波信号频率越来越高，频段越来越宽，数字芯片的处理能力越来越强，现代战争逐渐进入了信息化时代和数字化时代。电子器件的快速发展使信号的传输速率越来越快，II1-V族化合物凭借其优良的频率特性，其半导体器件和相关的超高速数字/数模混合电路正在成为军事通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化国防装备的核心部件之一。特别是在太赫兹研究领域，InP材料的使用方兴未艾。在众多的II1-V族化合物半导体器件中，InP材料具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如InGaAs和InP之间很小的晶格失配，以及很高的电子饱和速率等等，所以不论HEMT结构或者HBT结构，都有非常优异的高频、大功率性能。但是InP材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此InP材料额制造加工就面临很多工艺上的难题。对于超高频率、大功率的InP丽IC而言，其散热问题一直难以很好的解决，比较成熟的解决方法是在InP晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对InP材料进行减薄和抛光的方法，其特征在于，包括：制作对InP材料进行减薄用的硅片研磨衬垫；利用该硅片研磨衬垫对InP材料进行减薄；对InP材料进行化学机械抛光；对完成化学机械抛光的InP材料进行清洗；以及将清洗后的InP材料放入ICP刻蚀机进行等离子抛光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪宁，苏永波，金智，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：