用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的微细结构体的制造方法技术

本发明专利技术提供用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其为用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液，含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少一种和水。另外，本发明专利技术提供使用该处理液的由氧化硅形成的微细结构体的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
以往，作为在半导体器件、电路基板等广泛的领域中使用的具有微细结构的元件的形成和加工方法，使用了光刻技木。该领域中，伴随着要求性能的高度化，半导体器件等的小型化、高集成化或高速化显著进行，光刻中使用的抗蚀图案日趋微细化，另外高宽比日趋增加。但是，随着这样进行微细化等，抗蚀图案的倒塌成为很大的问题。已知抗蚀图案的倒塌是如此产生的:在将对抗蚀图案进行显影后的湿处理(主要是用于冲洗显影液的冲洗处理)中使用的处理液从该抗蚀图案上干燥时，起因于该处理液的表面张カ的应カ发挥作用，由此产生抗蚀图案的倒塌。因此，为了解决抗蚀图案的倒塌，提出了下述方法:利用使用了非离子性表面活性剂或醇系溶剂可溶性化合物等的低表面张力的液体替换洗涤液并进行干燥的方法(例如，參照专利文献I和2);使抗蚀图案的表面疏水化的方法(例如，參照专利文献3)等。然而，对于使用光刻技术形成的由金属、金属氮化物或金属氧化物、氧化硅、硅等所形成的微细结构体(抗蚀剂除外。若没有特别记载以下相同)，形成结构体的材料自身的強度比抗蚀图案自身的強度或抗蚀图案与基材的接合強度高，因此与抗蚀图案相比，该结构体图案的倒塌难以发生。但是，随着半导体装置或微机械的小型化、高集成化或高速化进一步发展，由该结构体的图案的微细化、以及高宽比的増加而导致的该结构体的图案的倒塌逐渐成为很大的问题。因此，为了解决这些微细结构体图案的倒塌，提出了使用表面活性剂形成疏水性保护膜的方法(例如，參照专利文献4)。然而，对于表面活性剤，完全没有种类(非离子性、阴离子性、阳离子性等)、制品名、浓度等具体的记载。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2004-184648号公报专利文献2:日本特开2005-309260号公报专利文献3:日本特开2006-163314号公报专利文献4:日本特开2010-114467号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题如上所述，在半导体装置、微机械等微细结构体(尤其是由氧化硅形成的微细结构体)的领域中，实际情况是尚未知道抑制图案的倒塌的有效技木。本专利技术是在该状况下进行的，其目的在于提供一种能够抑制半导体装置或微机械等由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的微细结构体的制造方法。用于解决问题的方案本专利技术人为了实现上述目的反复进行了深入的研究，结果发现，利用含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少ー种和水的处理液能够达到该目的。本专利技术是基于上述见解而完成的。S卩，本专利技术的主g如下所述。1.一种用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其为用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液，含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少ー种和水。2.根据第I项所述的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物的含量为IOppm 30%。3.根据第I项或第2项所述的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，氟烷基是碳原子数为I 6的全氟烧基。4.ー种由氧化硅形成的微细结构体的制造方法，其特征在于，在湿式蚀刻或干式蚀刻之后的洗涤エ序中，使用用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，该处理液含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少一种和水。5.根据第4项所述的微细结构体的制造方法，其中，微细结构体为半导体装置或微机械。专利技术的效果根据本专利技术，可以提供一种能够抑制半导体装置或微机械等由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的微细结构体的制造方法。附图说明图1是微细结构体的各制作阶段的截面示意图。具体实施例方式(用于抑制图案倒塌的处理液)本专利技术的处理液(用于抑制图案倒塌的处理液)被用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌，是含有具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少ー种和水的微细结构体的处理液。此处，“由氧化硅形成的微细结构体”指的是用处理液处理的部分为由氧化硅形成的微细结构体。认为本专利技术的处理液中使用的具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物与微细结构体的图案中使用的氧化硅吸附，使该图案的表面疏水化。这种情况下的疏水化表示用本专利技术的处理液进行了处理的氧化硅的表面与水的接触角为70°以上。另外，本专利技术中使用的氟烷基为烷基的一个碳与至少ー个氟键合而得到的烷基，适宜使用碳原子数为I 6的全氟烷基。考虑到实用性，碳原子数为6的全氟烷基是最适的。作为具有氟烷基的卤化铵，可以举出制品名Fluorad FC-135 (Sumitomo3MLimited 制造)、制品名 Ftergent300 (NE0S C0., LTD.),制品名 Ftergent310 (NE0SC0.，LTD.)、制品名 Surflon S-121 (AGC SEIMI CHEMICAL C0., LTD.制造)、制品名 Surf 1nS-221(AGC SEIMI CHEMICAL C0., LTD.制造)等，特别优选为制品名 Surf 1n S_221(AGCSEIMI CHEMICAL C0.，LTD.制造)。作为具有氟烷基的甜菜碱化合物，可以举出制品名Ftergent400S (NE0SC0.，LTD.)、制品名 Surflon S-131(AGC SEIMI CHEMICAL C0.，LTD.)、制品名 SurflonS-132(AGC SEIMI CHEMICAL C0.，LTD.)、制品名 Surf 1n S_231(AGC SEIMI CHEMICALC0., LTD.)等，特别优选 Surflon S_231(AGC SEIMI CHEMICAL C0.，LTD.)。作为具有氟烷基的氧化胺化合物，可以举出制品名Surflon S-141 (AGC SEIMICHEMICAL C0.，LTD.)、制品名 Surflon S-241 (AGC SEIMI CHEMICAL C0.，LTD.)，特别优选制品名 Surflon S-241 (AGC SEIMI CHEMICAL C0.，LTD.)。本专利技术的处理液以水溶液形式使用，作为所使用的水，优选通过蒸馏、离子交换处理、过滤处理、各种吸附处理等除去了金属离子、有机杂质、颗粒等的水，特别优选为纯水、超纯水。本专利技术的处理液含有上述具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少ー种和水，除此之外，在不损害处理液的效果的范围内含有在处理液中通常使用的各种添加剤。本专利技术的处理液中的具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物、具有氟烷基的氧化胺化合物的含量(使用2种以上时为它们的总量)优选为IOppm 30%、更优选为IOppm 20%、进ー步优选为IOppm 10%、特别优选为10 2000ppm、最优选为10 IOOOppm0另外，这些化合物在水中的溶解性不充分而产生相分离的情况下，可以加入醇等有机溶剂，也可以加入酸、碱以补充溶解性。在未发生相分离而仅白浊的情况下，也可以在不损害该处理液的效果的范围内使用，还可以伴随搅拌以使该处理液均匀而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.08 JP 2010-2007811.一种用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其为用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液，含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少ー种和水。2.根据权利要求1所述的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物的含量为IO...

【专利技术属性】
技术研发人员：松永裕嗣，大户秀，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：
国别省市：