用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的微细结构体的制造方法技术

本发明专利技术提供用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其为用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液，含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少一种和水。另外，本发明专利技术提供使用该处理液的由氧化硅形成的微细结构体的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
以往，作为在半导体器件、电路基板等广泛的领域中使用的具有微细结构的元件的形成和加工方法，使用了光刻技木。该领域中，伴随着要求性能的高度化，半导体器件等的小型化、高集成化或高速化显著进行，光刻中使用的抗蚀图案日趋微细化，另外高宽比日趋增加。但是，随着这样进行微细化等，抗蚀图案的倒塌成为很大的问题。已知抗蚀图案的倒塌是如此产生的:在将对抗蚀图案进行显影后的湿处理(主要是用于冲洗显影液的冲洗处理)中使用的处理液从该抗蚀图案上干燥时，起因于该处理液的表面张カ的应カ发挥作用，由此产生抗蚀图案的倒塌。因此，为了解决抗蚀图案的倒塌，提出了下述方法:利用使用了非离子性表面活性剂或醇系溶剂可溶性化合物等的低表面张力的液体替换洗涤液并进行干燥的方法(例如，參照专利文献I和2);使抗蚀图案的表面疏水化的方法(例如，參照专利文献3)等。然而，对于使用光刻技术形成的由金属、金属氮化物或金属氧化物、氧化硅、硅等所形成的微细结构体(抗蚀剂除外。若没有特别记载以下相同)，形成结构体的材料自身的強度比抗蚀图案自身的強度或抗蚀图案与基材的接合強度高，因此与抗蚀图案相比，该结构体图案的倒塌难本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.08 JP 2010-2007811.一种用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其为用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液，含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少ー种和水。2.根据权利要求1所述的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物的含量为IO...

【专利技术属性】
技术研发人员：松永裕嗣，大户秀，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：
国别省市：