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本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法，通过采用SiCoNi清洗工艺对PMOS衬底进行预清洗后，于该衬底上继续生长栅氧层后，进行退火工艺，以使得制备的PMOS器件的NBTI能够得到有效的改善，且降低了...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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