【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及半导体领域，更具体地，涉及金属硬掩模的制造。
技术介绍
硬掩模在半导体加工中用于将图案转印到衬底上，尤其是随着特征尺寸逐渐缩小。对于递减的几何尺寸，金属硬掩模可以提供所需的蚀刻轮廓和关键尺寸控制。然而，在高残余应力下制造硬掩模会导致图案失真，而释放硬掩模中的应力则需要热预算。
技术实现思路
本专利技术提供各种有利的实施例。根据一个实施例，一种制造金属硬掩模方法包括，将至少一种金属反应气体流入被配置为进行化学汽相沉积(CVD)的反应室中，其中，该至少一种金属反应气体包括，金属卤素气体或金属有机气体。该方法进一步包括，使用至少一种金属反应气体通过CVD沉积硬掩模金属层。根据一个方面，该方法可以进一步包括，利用对沉积的硬掩模金属层进行的等离子体处理来调节沉积的硬掩模金属层的应力和/或密度。等离子体处理可以包括，停止至少一种金属反应气体的流入，以及使用由至少一种载气形成的等离子体轰击沉积的硬掩模TiN层。其中，至少一种金属反应气体选自由卤素钛气体、有机钛气体、钽卤素气体、以及钽有机气体组成的组。其中，沉积硬掩模金属层包括，通过等离子体增强型CVD(PEC...
【技术保护点】
一种制造金属硬掩模的方法，所述方法包括：将至少一种金属反应气体流入被配置为进行化学汽相沉积(CVD)的反应室中，其中，所述至少一种金属反应气体包括金属卤素气体或金属有机气体；以及使用所述至少一种金属反应气体通过CVD沉积硬掩模金属层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：林思宏，吴林荣，杨琪铭，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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