本发明涉及分裂栅极器件及其制造方法，其中，一种半导体器件包括：衬底；设置在第一区域中的衬底上方的存储元件；设置在存储元件上方的控制栅极；设置在邻近第一区域的第二区域中的衬底上的高k介电层；以及设置在高k介电层上方并邻近存储元件和控制栅极...

一种折线电阻器结构包括：在第一有源区上方形成的第一电阻器，其中，第一电阻器由串联连接的多个第一通孔形成；在第二有源区上方形成的第二电阻器，其中，第二电阻器由串联连接的多个第二通孔形成；以及在第二有源区上方形成的第三电阻器，其中，第三电阻...

公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括：设置在第一器件区中的第一器件，该第一器件包括第一栅极结构、在该第一栅极结构的侧壁上形成的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件；以及设置在第二器...

本发明公开了一种器件，包括介电层、位于介电层中的金属线以及位于金属线下面并且连接至金属线的通孔。两个伪金属图案与金属线邻接并与直线对准。伪金属线互连两个伪金属图案。伪金属线的宽度小于两个伪金属图案的长度和宽度，其中在与直线垂直的方向上测...

一种具有原位芯片级铁氧体磁珠电感器的半导体结构及其形成方法。实施例包括：衬底；在衬底上形成的第一介电层；在第一介电层上形成的下铁氧体层；以及在结构中与下铁氧体层间隔分开的上铁氧体层。第一金属层可以形成在下铁氧体层上方，以及第二金属层可以...

可调折线电阻器包括多个串联电路。每个串联电路都包括：在晶体管的第一掺杂区上方形成的第一电阻器、在晶体管的第二掺杂区上方形成的第二电阻器、以及在第一电阻器和第二电阻器之间连接的连接器。采用控制电路来控制晶体管的接通和断开，以实现可调折线电...

本发明提供了一种应力降低装置。该应力降低装置包括：在衬底上方形成的金属结构；在衬底上方形成的金属间介电层，其中，金属结构的下部嵌入金属间介电层；以及在金属结构上方形成的倒杯形应力降低层，其中，金属结构的上部嵌入倒杯形应力降低层。

半导体器件包括形成在钝化后互连(PPI)结构的表面上的介电层。聚合物层形成在介电层上方并且将该聚合物层图案化为具有开口以露出介电层的一部分。然后去除介电层的露出部分以露出PPI结构的一部分。然后在PPI结构的第一部分的上方形成焊料凸块并...

本发明提供了用于阻止裂纹的系统和方法。一种实施例包括将止裂器置入半导体管芯和衬底之间的连接件。止裂器可以为空心或者实心圆柱形并且可被放置成便于阻止穿过止裂器的任何裂纹扩展。本发明还公开了互连止裂器结构及方法。

本发明涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的图案化工艺，其中，用于以非矩形图案对集成电路器件上的多个部件进行图案化的方法，包括：提供包括表面的衬底，该衬底具有第一层和第二层；在第一层和第二层上方的第三层中形成多个伸长凸起；以及在多个...

本发明涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的切割掩模图案化工艺，其中，用于以非矩形图案对多个部件(诸如位于集成电路器件上)进行图案化的方法包括：提供包括具有多个伸长凸起的表面的衬底，伸长凸起在第一方向上延伸。在表面上方和多个伸长凸起...

一种用于夹紧弯曲工件的静电卡盘，具有包括介电层的夹紧面。介电层具有由不同介电材料形成的域和一个或多个区域。将一个或多个电极连接至电源，并且控制器控制通过电源提供给一个或多个电极的夹紧电压。感生与静电卡盘的介电层的每一个域和一个或多个区域...

提供了通过使用中介层和非流动型底部填充(NUF)层形成堆叠封装(PoP)封装件的机制。插入框架改进了封装件的形状因数，能够减小接合结构的间距。通过利用用于接合的半导体管芯的连接件上的热量和插入框架的连接件上的热量，NUF层使半导体管芯和...

本发明公开了一种用于对FinFET执行应力记忆技术(SMT)的方法和具有包括多平面位错的记忆应变效果的FinFET。示例性实施例包括：接收FinFET前体，FinFET前体具有衬底、衬底上的鳍状件结构、鳍状件结构之间的隔离区、以及鳍状件...

本公开内容的实施例包括一种方法：提供衬底；将多晶硅层形成在衬底上方；将第一光刻胶层形成在多晶硅层上方；在第一光刻胶层上方制造第一图案，其中，所述多晶硅层的某些部分被第一光刻胶层覆盖并且所述多晶硅层的某些部分没有被第一光刻胶层覆盖；将离子...

本公开内容涉及一种利用工具传感器数据和内嵌或内置工具模型促进半导体制造的工艺工具系统。工艺工具系统包括传感器数据组件、工具模型和执行系统。传感器数据组件被配置成提供工具传感器数据。工具模型被内置在工艺工具中并且被配置成基于模型输入生成模...

一种存储器包括第一位线、耦合至第一位线的存储单元和耦合至第一位线的读辅助器件。读辅助器件被配置成响应于从存储单元读出的第一数据将第一位线上的第一电压拉向预定电压。读辅助器件包括配置成在第一阶段期间在第一位线与预定电压的节点之间建立第一电...

本发明公开了一种用于制造半导体器件的方法。一种示例性方法包括接收包括格上目标图案的集成电路(IC)布局。所述方法进一步包括接收多栅格结构。所述多栅格结构包括在第一方向上相互偏移一定偏移量的许多曝光栅格段。所述方法进一步包括实施多栅格曝光...

一种确定覆盖误差的方法。该方法包括将图案从中间掩模转印至晶圆以及选择第一组数据点以测量中间掩模上的部件与晶圆上的部件之间的位置差。该方法还包括确定第一组数据点但包含较少数据点的第二组数据点。控制系统使用第二组数据点来动态地调整中间掩模的...

一种形成生物传感结构的方法，包括开槽部分衬底，从而在衬底中形成多个平台。多个平台中的每个均具有顶面和与该顶面相邻的侧壁面。第一反光层沉积在每个平台的顶面和侧壁面上方。填充材料形成在第一反光层的第一部分上方。停止层沉积在填充材料和第一反光...