本发明涉及用于FinFET设计的LVS实现，其中，一种方法包括将集成电路的布局中的有源区域转换成具有鳍的基于鳍的结构。有源区域属于集成电路器件并且具有平面布局结构。该方法进一步包括使用基于鳍的结构的参数来提取集成电路器件的电阻-电容(R...

一种用于电子系统级(ESL)上的动态频率调整(DFS)的方法。所述方法可在虚拟环境下运行并且基于第一交易时间和第二交易时间动态调整虚拟设备的频率。本发明还公开了微处理器中的动态频率调整方法。

公开了各种非平坦反射光刻掩模、采用这种光刻掩模的系统和方法。实施例是一种光刻掩模，包括透明衬底、反射材料和中间掩模图案。透明衬底包括弯曲表面。反射材料邻接透明衬底的弯曲表面，并且反射材料和透明衬底之间的界面是反射面。中间掩模图案位于透明...

一种CMOS传感器包括：像素，被配置成基于由像素接收的入射光输出电压。第一电路连接至像素并且被配置成确定像素的复位电压。第二电路连接至第一电路并且被配置成基于像素的复位电压选择增益电平。增益电路连接至第二电路并且被配置成设置由第二电路选...

一种放大器包括第一级和第二级。第一级包括：用于接收模拟输入信号的输入节点、用于将模拟输入信号转换成数字输入信号的模拟数字转换器、以及用于响应于接收基于数字输入信号的数字脉冲宽度调制信号，输出第一模拟中间输出信号。第二级被配置成接收第一级...

公开了可以作为磁随机存取存储器单元使用的磁隧道结(MTJ)的方法和装置。MTJ包括自由层和绝缘层。MTJ还包括具有第一区、第二区和第三区的固定层。第二区具有第一长度和第一厚度，以及第一区和第三区具有第二长度和第二厚度。第一厚度与第二厚度...

描述了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括具有鳍片的衬底，该鳍片具有顶面以及第一横向侧壁和第二横向侧壁。硬掩模层可以形成在鳍片的顶面上(例如，提供双栅极器件)。栅极介电层和功函数金属层形成在鳍片的第一横向侧壁和第二横向侧壁上。硅...

一种FinFET器件可以包括与第二半导体鳍横向相邻的第一半导体鳍。第一半导体鳍和第二半导体鳍可以具有用于使缺陷和变形最少的轮廓。第一半导体鳍包括上部和下部。第一半导体鳍的下部可以具有在底部比第一半导体鳍的上部更宽的扩口轮廓。第二半导体鳍...

本发明公开了一种FinFET，其包括形成在衬底中的隔离区、形成在衬底上方的斗篷形有源区，其中该斗篷形有源区具有突出在隔离区顶面之上的上部部分。此外，FinFET包括包围斗篷形有源区的沟道的栅电极。本发明还公开了用于FinFET的装置和方法。

本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上并且在组分上不同于第一III-V族化合物层。载流子沟道位于第一III-V族化合物层和第二III-V...

本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET的示例性结构包括：包含有主表面的衬底；具有第一宽度并且从衬底的主表面向下延伸至第一高度的多个第一沟槽，其中邻近的第一沟槽之间的第一间隔限定出第一鳍片；以及具有小于第一宽度的第二...

高电压MOS晶体管包括在衬底上方形成的第一漏极/源极区、在衬底上方形成的第二漏极/源极区以及在衬底上方形成的第一金属层。第一金属层包括通过第一金属塞连接至第一漏极/源极区的第一导体，通过第二金属塞连接至第二漏极/源极区的第二导体以及在第...

本发明公开了半导体器件及其制造和设计方法。在一个实施例中，半导体器件包括在包括第一半导体材料的工件上方设置的有源FinFET，有源FinFET包括第一鳍。紧邻有源FinFET在工件上方设置电无源FinFET结构，电无源FinFET包括第...

本发明提供了采用堆叠式封装件(PoP)技术利用中介框架形成封装件的机制的实施例。通过采用具有一种或多种添加物的衬底以调整衬底的特性形成中介框架。中介框架具有衬有导电层的衬底通孔(TSH)以与邻近封装件上的焊球形成衬底通孔(TSV)。中介...

本发明公开了一种用于芯片尺寸封装的电连接件。在一个实施例中，半导体器件包括设置在衬底上方的后钝化层，衬底具有热膨胀系数失配的第一方向。半导体器件包括穿过后钝化层的第一开口，第一开口包括多个细长孔隙。多个细长孔隙中的最长孔隙包括第一尺寸，...

本发明提供了形成用于堆叠封装件的连接件的机构。形成用于堆叠封装件的连接件的机构的所述实施例能够实现具有更细间距的更小连接件，该连接件实现了更小的封装件尺寸以及额外的连接。一个封装件上的导电元件部分地嵌入在该封装件的模塑料中从而与另一个封...

本发明提供用于实现应变外延区的器件和方法。提供一种半导体制造方法，包括在半导体衬底的鳍片上方形成栅极结构并且在邻近栅极结构的鳍片中形成凹槽。然后更改凹槽的侧壁。示例性更改包括具有经过更改的轮廓、处理侧壁以及在侧壁上形成层。然后在凹槽中生...

形成轻掺杂漏极(LDD)延伸的系统和方法。实施例包括在半导体鳍片上形成栅电极以及在栅电极上方形成介电层。然后蚀刻栅电极以暴露出半导体鳍片的一部分。鳍片的暴露部分包括LDD延伸。本发明提供具有LDD延伸的FinFET设计。

在通过至少一个处理器执行的半导体器件设计方法中，从半导体器件的布局中提取第一电子部件和第二电子部件。半导体器件具有半导体衬底以及半导体衬底中的第一电子部件和第二电子部件。使用第一工具提取第一电子部件和第二电子部件之间的半导体衬底中的耦合...

具有电流增压器的电压模式驱动器(VMDCB)。一种能够实现比其电源电压更大的电压输出摆幅的电压模式驱动电路。通过电流源或“电流增压器”补充该电压模式驱动电路。该电路包括第一反相器、第二反相器和电流源。第一反相器接收第一输入并在节点输出信...