FinFET及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET的示例性结构包括：包含有主表面的衬底；具有第一宽度并且从衬底的主表面向下延伸至第一高度的多个第一沟槽，其中邻近的第一沟槽之间的第一间隔限定出第一鳍片；以及具有小于第一宽度的第二宽度并且从衬底的主表面向下延伸至大于第一高度的第二高度的多个第二沟槽，其中，邻近的第二沟槽之间的第二间隔限定出第二鳍片。本发明专利技术提供了FinFET及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：衬底，包含有主表面；多个第一沟槽，具有第一宽度并且从所述衬底的主表面向下延伸至第一高度，其中，邻近的第一沟槽之间的第一间隔限定出第一鳍片；以及多个第二沟槽，具有小于所述第一宽度的第二宽度并且从所述衬底的主表面向下延伸至大于所述第一高度的第二高度，其中，邻近的第二沟槽之间的第二间隔限定出第二鳍片。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林毓超，彭治棠，杨舜惠，陈嘉仁，陈昭成，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：