本发明涉及LED照明装置。照明装置包括衬底和根据预定布局图案设置在衬底之上的多个LED模块。布局图案包括具有横向上邻近第一水平对准的LED模块和第二水平对准的LED模块定位的垂直对准的LED模块的行。布局图案还包括具有横向上邻近第一垂直...

本发明提供了一种方法，包括在封装部件上模制聚合物。模制步骤包括在第一温度处实施的第一模制阶段，以及在不同于第一温度的第二温度处实施的第二模制阶段。本发明还提供了模制集成电路的方法。

本发明涉及去耦电容器及其布局。其中，一种器件，包括具有第一掺杂类型的第一和第二注入区域的半导体衬底。将栅极绝缘层和栅电极提供到在第一和第二注入区域之间的电阻区域的上面。第一介电层在第一注入区域上。提供接触结构，包括与栅电极导电接触的第一...

一种半导体器件包括在硅衬底上形成的鳍式场效应晶体管(FinFET)和鳍式电容器。该鳍式电容器包括硅鳍片、位于硅鳍片之间的一个或多个导电体、以及位于硅鳍片和一个或多个导电体之间的绝缘材料。该鳍式电容器还可以包括位于一个或多个导电体和下面的...

一种半导体器件可以包括用于ESD保护的位于finFET器件上的体接触件。半导体器件包括半导体鳍状件、源极/漏极区和体接触件。源极/漏极区和体接触件位于半导体鳍状件中。鳍状件的一部分在横向上位于源极/漏极区和体接触件之间。半导体鳍状件位于...

本发明公开了一种鳍式场效应晶体管FinFET。一种FinFET的典型结构包括：衬底，包括主面；第一鳍状件和第二鳍状件，自该衬底的主面向上延伸至第一高度；绝缘层，包括顶面，该绝缘层自衬底的主面向上延伸至第二高度，该第二高度小于第一高度，由...

一种减小图像传感器中的暗电流的方法包括：提供背照式图像传感器晶圆，在该背照式图像传感器晶圆的背面上沉积第一钝化层，在第一钝化层上沉积等离子体增强钝化层，以及在等离子体增强钝化层上沉积第二钝化层。本发明还提供了一种减小图像传感器中的暗电流...

一种用于图像传感器的改进的折射率光学栅格。在一个实施例中，一种背照式CIS器件包括：半导体衬底，具有像素阵列区，像素阵列区包括在半导体衬底的前侧表面上形成的多个光传感器，每个光传感器均在像素阵列区中形成像素；光学栅格材料，设置在半导体衬...

一种形成凸块结构的机制，能够形成芯片和衬底之间的凸块结构，以消除或减小焊料短路、助焊剂残留物及底部填充物空隙的风险。通过接合凸块结构中的铜柱的总高度除以接合凸块结构的间隔来定义α比率，可以建立α比率的下限以避免短路。也可以建立芯片封装件...

公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括：在工件的沟槽内形成电容器，电容器包括底部电极、设置在底部电极上方的介电层和设置在介电层上方的顶部电极。保护层形成在电容器的上方。形成电容器和形成保护层包括：优化沟槽...

本发明公开了一种存储器件，包括以行和列布置的位单元的阵列、多个互补位线对、多根电源线以及多个电压控制电路。阵列中的每列可通过相对应的互补位线对选择。每根电源线连接至相对应列中的位单元。电压控制电路相应地连接至阵列中的各列。响应于与相对应...

本发明涉及存储器及其操作方法，其中，一种存储器包括多个存储块、多条全局位线、公共预充电电路以及选择电路。每个存储块都包括一对位线以及连接至一对位线的多个存储单元。每条全局位线都连接至至少一个存储块。预充电电路被配置为一次将一条全局位线预...

提供了一种用于检验在半导体器件布局中存在的可接受的器件特征密度和器件特征差异的方法。提供了用于将器件布局划分为多个窗口并且测量或者确定每个窗口内的器件特征密度的方法。器件布局包括各个器件区域并且该方法提供了将一个区域内的平均器件特征密度...

公开了一种用于功能验证多管芯3D?IC的系统和方法。该系统和方法包括：用于独立测试管芯叠层内的每一个管芯的可重复利用的验证环境，而不需要同时运行叠层内的所有管芯。系统和方法包括将来自管芯验证测试的输入/输出(“IO”)轨迹从第一格式转换...

一种热感测系统包括具有布局的电路，该布局包括成行和成列地布置的标准单元。第一和第二电流源分别提供了第一和第二电流。热感测系统包括热感测单元，第一和第二开关模块，以及模拟数字转换器(ADC)。每个热感测单元均被配置成提供取决于该热感测电流...

本公开包括具有衬底通孔的微电子机械系统(MEMS)结构及其形成方法。MEMS结构的衬底在高温下通过融熔接合而接合到一起，这能够在密封MEMS结构的空腔之前更加完全地去除来自衬底中的介电材料的化学物。MEMS结构融熔接合减少了化学物的脱气...

本发明涉及了一种磁阻随机存储器(MRAM)单元，包括了磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶电极、设置在MTJ下方的底电极，以及设置在MTJ上方或下方的感应线。感应线被配置成在MTJ处产生磁场。

本发明涉及一种制造发光装置的方法。该方法包括在衬底上方形成第一III-V族化合物层。该第一III-V族化合物层具有第一导电类型。在第一III-V族化合物层上方形成多量子阱(MQW)层。然后在该MQW层上方形成第二III-V族化合物层。该...

本发明公开一种器件，所述器件包括半导体鳍状件，在半导体鳍状件的侧壁上的栅极介电层，在栅极介电层上的栅电极以及隔离区。隔离区包括在半导体鳍状件的一侧的第一部分，其中第一部分在部分栅电极下面并且与该部分栅电极对准。半导体鳍状件在隔离区的第一...

本发明涉及一种FinFET。该FinFET包括形成在衬底上方的鳍状结构。栅极介电层至少部分地包裹鳍状结构的一部分。该栅极介电层包含高-k栅极介电材料。该FinFET包括共形地形成在栅极介电层上的多晶硅层。该FinFET包括形成在多晶硅层...