用于改进图像传感器的反射率光学栅格的方法和装置制造方法及图纸

一种用于图像传感器的改进的折射率光学栅格。在一个实施例中，一种背照式CIS器件包括：半导体衬底，具有像素阵列区，像素阵列区包括在半导体衬底的前侧表面上形成的多个光传感器，每个光传感器均在像素阵列区中形成像素；光学栅格材料，设置在半导体衬底的背侧表面上方，光学栅格材料被图案化以形成限定出像素阵列区中的每个像素并且在半导体衬底上方延伸的光学栅格，光学栅格具有侧壁和顶部；以及高反射率涂层，形成在光学栅格上方，包含金属纯度至少为99％的纯金属涂层、以及反射系数大于约2.0的纯金属涂层上方的高k电介质涂层。还公开了多种方法。本发明专利技术还提供了一种用于改进图像传感器的反射率光学栅格的方法和装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种用于改进图像传感器的反射率光学栅格的方法和装置。
技术介绍
包括照相机和摄像机的数字相机在便携式设备上的持续使用对图像传感器提出了要求。照相机在便携式和蓄电池组供电的设备(诸如，平板计算机、智能手机、膝上型电脑和基于网络的视频播放器)上的使用继续增加。早期数字相机主要依赖电荷耦合器件(“CXD”)作为图像传感器。近来，CMOS图像传感器(“CIS”)变得日益流行。CCIS技术提供与模拟器件相对的数字器件，并且因为CIS使用CMOS晶体管或二极管技术，附加数字处理和逻辑电路可以容易地被结合到成像集成电路中。光聚集的效率(量子效率或“QE”)可以大于通过CCD器件实现的效率。CIS器件基于光敏二极管，其可以被形成为二极管或者晶体管的一部分，“光敏晶体管”。当光电二极管暴露至光时，电子流与光成比例，并且可以产生指示在给定时间段内接收的光量的电压信号。然后，该信号被转换为数字信号，并且器件上的电路可以输出该信号。图像元素(“像素”)的阵列形成在半导体器件上。附加电路可以形成在阵列之外，以例如提供诸如过滤的数字信号处理、以及图像处理，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在半导体衬底的背侧上方的像素阵列区上方形成材料层；使用光刻工艺来图案化所述材料层以形成光学栅格，所述光学栅格位于所述像素阵列区上方并且在所述像素阵列区的每个部分中限定出像素传感器；在所述光学栅格上方沉积包含纯度至少为99％金属的纯金属涂层；在所述纯金属涂层上方沉积折射率大于约2.0的介电层；图案化所述纯金属涂层和所述介电层，以在所述光学栅格的每个部分的顶部上方和侧壁上方形成反射涂层；以及在所述光学栅格上方沉积折射率小于约2.0的钝化层。

【技术特征摘要】
2012.01.31 US 13/363,2801.一种方法，包括: 在半导体衬底的背侧上方的像素阵列区上方形成材料层； 使用光刻工艺来图案化所述材料层以形成光学栅格，所述光学栅格位于所述像素阵列区上方并且在所述像素阵列区的每个部分中限定出像素传感器； 在所述光学栅格上方沉积包含纯度至少为99%金属的纯金属涂层； 在所述纯金属涂层上方沉积折射率大于约2.0的介电层； 图案化所述纯金属涂层和所述介电层，以在所述光学栅格的每个部分的顶部上方和侧壁上方形成反射涂层；以及 在所述光学栅格上方沉积折射率小于约2.0的钝化层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述纯金属选自基本由铜和铝所构成的组。3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成材料层包括:沉积导体。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述导体选自基本由铝和铜所构成的组。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述纯金属涂层上方沉积折射率大于约2.0的介电层包括:沉积介电常数大于约3.8的电介质。6.根据权利要求1所述的方法，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张简旭珂，陈科维，王英郎，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：