减小图像传感器中的暗电流的装置和方法制造方法及图纸

一种减小图像传感器中的暗电流的方法包括：提供背照式图像传感器晶圆，在该背照式图像传感器晶圆的背面上沉积第一钝化层，在第一钝化层上沉积等离子体增强钝化层，以及在等离子体增强钝化层上沉积第二钝化层。本发明专利技术还提供了一种减小图像传感器中的暗电流的装置和方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种。
技术介绍
随着技术的发展，互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器由于CMOS图像传感器中的固有的特定的优点而比传统的带电耦合器件(CCD)更受欢迎。尤其是CMOS图像传感器可以具有高图像采集率、更低操作电压、更低功率损耗以及更高抗扰性。另外，可以在与逻辑和存储器件相同的高容量晶圆生产线上制造该CMOS图像传感器。因此，CMOS图像芯片可以包括图像传感器以及所有必要的逻辑器件，诸如，放大器、A/D转换器等。CMOS图像传感器是像素化的金属氧化物半导体。CMOS图像传感器通常包括光敏的图像元素(像素)阵列，其中每个均可以包括晶体管(开关晶体管和复位晶体管)、电容器以及光敏元件(例如，光电二极管)。CMOS图像传感器使用光敏的CMOS电路来将光子转化成电子。该光敏的CMOS电路通常包括形成在硅衬底中的光电二极管。由于光电二极管暴露在光中，所以电荷被引入到该光电二极管中。当光从主场景射到像素上时，每个像素均可以与射在该像素上的光量成正比地产生电子。另外，电子在像素中被转换成电压信号并且进一步通过A/D转换器转变成数字信号。多个外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：提供背照式图像传感器晶圆；在所述背照式图像传感器晶圆的背面上沉积第一钝化层；在所述第一钝化层上沉积第一等离子体增强钝化层；在所述第一等离子体增强钝化层上沉积第二等离子体增强钝化层；以及在所述第二等离子体增强钝化层上沉积第二钝化层。

【技术特征摘要】
2012.01.31 US 61/593,038;2012.03.30 US 13/436,3641.一种方法，包括:提供背照式图像传感器晶圆；在所述背照式图像传感器晶圆的背面上沉积第一钝化层；在所述第一钝化层上沉积第一等离子体增强钝化层；在所述第一等离子体增强钝化层上沉积第二等离子体增强钝化层；以及在所述第二等离子体增强钝化层上沉积第二钝化层。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括:在所述背照式图像传感器晶圆中生长外延层，其中，光电二极管嵌在所述外延层中；在所述外延层中形成隔离区域，其中，所述隔离区域包围所述光电二极管；在所述背照式图像传感器晶圆的正面上方形成介电层；以及在所述介电层上方形成金属互连层。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述光电二极管包括: N型光电二极管区域；以及P型光电二极管区域。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一钝化层由二氧化硅形成。5.根据权利要求1所述的方法，其中:所述第一等离子体增强钝化层包括氮化硅；以及所述第二等离子体增强钝化层包括氮化硅。6.根据权利要求1所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖茂成，梁晋魁，谢文杰，张简旭珂，葛翔翔，王英郎，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：