固态成像元件、固态成像元件制造方法以及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及固态成像元件、固态成像元件制造方法以及电子装置。该固态成像元件，包括：半导体层；排列在半导体层中的多个光电转换部；以及像素分离部，在将该光电转换部按像素彼此分离的位置上，以从所述半导体层的光接收面到所述半导体层的与所述光接收面相对的表面具有相同宽度的形状进行设置，该像素分离部由含有杂质的材料形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及固态成像元件、固态成像元件制造方法及电子装置，特别涉及具有用于将光电转换部按像素彼此分离的像素分离部的固态成像元件、固态成像元件的制造方法、以及使用该固态成像元件的电子装置。
技术介绍
在 固态成像元件中，当像素分离部形成在多个光电转换部形成在其中的半导体层中时，用改变的注入能量执行多次离子注入。此时，位置在半导体层中越深，离子注入的能量越高。因此，半导体层中的位置越深，所引入的杂质在水平方向的扩散越宽。因而，在半导体层中的位置越深，所形成的杂质区的形状在水平方向越宽。在离子注入后，通过激活退火来扩散杂质，使得杂质区扩大。以上的结果是，像素分离部被形成为在半导体层中的越深位置在水平方向变得越宽的形状，并通过杂质的扩散进一步扩大。这种像素分离部减小了半导体层中的光电转换部的容量，这样导致了饱和电荷(Qs)的量的减小。在具有微小像素尺寸的固态成像元件中，特别地，这种像素分离部的比例增大，因此，这种像素分离部对于Qs的减小有很大影响。因此，为了小型化像素分离部，已经提出了以下的用于形成像素分离部的方法来代替上述的离子注入。首先，从半导体基板的表面侧，在半导体基板中的像素之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态成像元件，包括：半导体层；多个光电转换部，排列在所述半导体层中；以及像素分离部，在将所述光电转换部按像素彼此分离的位置上，以从所述半导体层的光接收面到所述半导体层的与所述光接收面相对的表面具有相同宽度的形状进行设置，所述像素分离部由含有杂质的材料形成。

【技术特征摘要】
2012.01.30 JP 2012-0162631.一种固态成像元件，包括: 半导体层； 多个光电转换部，排列在所述半导体层中；以及 像素分离部，在将所述光电转换部按像素彼此分离的位置上，以从所述半导体层的光接收面到所述半导体层的与所述光接收面相对的表面具有相同宽度的形状进行设置，所述像素分离部由含有杂质的材料形成。2.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，所述像素分离部由含有杂质的晶体半导体形成。3.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，所述像素分离部通过再结晶含有杂质的非晶半导体形成， 所述含有杂质的非晶半导体被形成为填充设置在所述半导体层中的沟槽。4.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，所述像素分离部具有从所述半导体层继承的结晶性。5.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中，所述像素分离部具有通过熔化含有杂质的非晶半导体形成的晶体结构会合部分，所述含有杂质的非晶半导体被形成为填充设置在所述半导体层中的沟槽，并且从所述沟槽的内壁外延地生长熔化的非晶半导体。6.根据权利要求1所述的固态成像元件，进一步包括: 界面杂质层，与所述像素分离部相连地设置在所述半导体层的所述光接收面上，所述界面杂质层由所述含有杂质的材料形成。7.根据权利要求1所述的固态成像元件，进一步包括: 像素分离接合部，设置在所述半导体层的与所述半导体层的光接收面相对的表面层中的将所述光电转换部按像素彼此分离的位置，并且接合到所述像素分离部。8.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中， 所述像素分离部包括: 含有杂质的绝缘膜，所述含有杂质的绝缘膜被形成为填充设置在所述半导体层中的沟槽；以及 杂质区，沿所述沟槽的侧壁设置。9.根据权利要求1所述的固态成像元件，进一步包括: 在所述半导体层的与所述半导体层的所述光接收面相对的表面上的布线层。10.一种固态成像元件制造方法，所述方法包括: 在半导体层中排列并形成多个光电转换部； 在所述半导体层的与所述半导体层的光接收面相对一侧的表面上形成布线层； 在形成所述布线层之后，在将光电转换部按像素彼此分离的位置上，在所述半导体层的所述光接收面的一侧上形成具有开口的沟槽； 以填充所述沟槽的状态形成含有杂质的材料层；以及 通过相对于所述布线层选择性地加热所述半导体层和所述含有杂质的材料层，形成像素分离部。11.根据权利要求10所述的固态成像元件制造方法，其中，在相对于所述布线层选择性地加热所述半导体层和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：中泽正志，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：