减小电流泄漏并具有高速度的半导体集成电路制造技术

技术编号:3413074 阅读:183 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
半导体集成电路包括:加有第一电源电压并有高阈电压的第一MOS晶体管,加有第二电源电压并有高阈电压的第二MOS晶体管,连接在第一和第二晶体管之间并有多个低阈电压的MOS晶体管的逻辑电路,当逻辑电路处在备用状态时产生控制信号的控制电路,及产生第第一电压和第二电压的电压产生电路,当逻辑电路在备用状态时把第一电压加到第一MOS晶体管和把第二电压加到第二MOS晶体管,从而减小备用状态时通过第一和第二晶体管及逻辑电路的漏电流。(*该技术在2016年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体集成电路,其特征在于包括: 适合于分别连接到第一和第二电源电压的第一和第二电源端子, 连接到所述第一电源端子并且串联连接在所述第一和第二电源端子之间以及具有第一阈电压的第一晶体管, 用于实现逻辑功能的逻辑电路装置,所述逻辑电路装置连接在所述第一晶体管和所述第二电源端子之间并且包括多个具有低于所述第一阈电压的第二阈电压的晶体管, 用于产生至少一种控制信号的控制电路,所述控制信号限定所述第一晶体管将要工作在截止状态以及所述逻辑电路将要处在备用状态的时间,以及 连接到所述控制电路的电压产生电路,所述电压产生电路用于响应所述至少一种控制信号而产生第一控制电压、并且用于把所述第一控制电压输送到所述第一晶体管以便使该第一晶体管截止,所述第一控制电压的绝对值大于所述第一电源电压、并且具有这样的极性、即、当把它加到所述第一晶体管时、将使该第一晶体管截止。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:益子耕一郎
申请(专利权)人:三菱电机株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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