【技术实现步骤摘要】
一种直接测量MOSFET导通后的漏源电压进行短路保护的电路
本专利技术属于电路保护领域,具体涉及一种直接测量MOSFET导通后的漏源电压进行短路保护的电路。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应管,即MOSFET是一种单极型电压控制元件,它具有开关速度非常快,高输入阻抗和低驱动电流,安全工作区大,无二次击穿问题,漏极电流为负的温度系数有良好的热稳定性等。而通常MOSFET的短路保护的电路,都是采用在驱动芯片加二极管至漏极的方式,当MOSFET开通后,如果产生过流或短路现象,当漏源两端电压高于二极管正向导通电压时,该二极管截止,关闭驱动输出。该方式最大的弊端是由于二极管正向压降曲线非线性及其离散性,导致短路保护电流有较大的变化范围,不能准确判定电流大小,从而给短路保护效能带来不确定性。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的上述缺点,提供一种直接测量MOSFET导通后的漏源电压进行短路保护的电路。为了实现上述目的,本专利技术所采用的技术方案是:一种直接测量MOSFET导通后的漏源电压进行短路保护的电路,包括MCU(1)、与门(2)、驱动电路(3)、MOSFET(5)、差动放大电路(6)、滤波电路(7)、比较器(8)、单稳电路(9);其中,所述MCU(1)通过与门(2)连接驱动电路(3);所述驱动电路连接MOSFET(5)的栅极;所述MOSFET(5)与差动放大电路(6)相连;所述差动放大电路(6)通过滤波器(7)连接比较器(8);所述比较器(8)与单稳电路(4)连接;所述单稳电路(4)分别与MCU(1)和与门(2)连接。上述一种直接测量MOSFET导通后的漏 ...
【技术保护点】
一种直接测量MOSFET导通后的漏源电压进行短路保护的电路,其特征在于:包括微控制器MCU(1)、与门(2)、驱动电路(3)、单稳电路(4)、MOSFET(5)、差动放大电路(6)、滤波器(7)、比较器(8);其中,所述微控制器MCU(1)通过与门(2)连接驱动电路(3);所述驱动电路(3)连接MOSFET(5)的栅极;所述MOSFET(5)与差动放大电路(6)相连;所述差动放大电路(6)通过滤波器(7)连接比较器(8);所述比较器(8)与单稳电路(4)连接;所述单稳电路(4)分别连接与门(2)和微控制器MCU(1)。
【技术特征摘要】
1.一种直接测量MOSFET导通后的漏源电压进行短路保护的电路,其特征在于:包括微控制器MCU(1)、与门(2)、驱动电路(3)、单稳电路(4)、MOSFET(5)、差动放大电路(6)、滤波器(7)、比较器(8);其中,所述微控制器MCU(1)通过与门(2)连接驱动电路(3);所述驱动电路(3)连接MOSFET(5)的栅极;所述MOSFET(5)与差动放大电路(6)相连;所述差动放大电路(6)通过滤波器(7)连接比较器(8);所述比较器(8)与单稳电路(4)连接;所述单稳电路(4)分别连接与门(2)和微控制器MCU(1)。2.根据权利要求1所述的一种直接测量MOSFET导通后的漏源电压进行短路保护的电路,其特征在于:所述MCU(1)连接与门(2),MCU(1)的信号为关闭MOSFET(5)的控制信号。3.根据权利要求1所述的一种直接测量MOSFET导通后的漏源电压进行短路保护的电路,其特征在于:所述MOSFET(5)的漏极通过电阻R1连...
【专利技术属性】
技术研发人员:王泊洋,
申请(专利权)人:西安图安电机驱动系统有限公司,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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