像素结构及薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术提供一种像素结构，其包括一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管与一储存电容。第一薄膜晶体管的源极与第二薄膜晶体管的栅极连接，且第二薄膜晶体管的半导体层突出于其栅极的两相对侧。本发明专利技术另提供一种薄膜晶体管，包括一栅极、一电容补偿结构、一半导体层、一介电层、一漏极以及一源极。电容补偿结构电性连接至栅极，且半导体层覆盖部分栅极并延伸重叠于电容补偿结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种像素结构与薄膜晶体管，尤指一种具有电容补偿结构的像素结构与薄膜晶体管。
技术介绍
主动矩阵式(active matrix)显示面板包括多个个呈矩阵排列的像素结构所构成，且各像素结构主要包括薄膜晶体管、显示元件与储存电容等元件。显示面板的薄膜晶体管、显示元件与储存电容等元件的制作将多层膜层包括例如导电层、半导体层与介电层等依序利用沉积、光刻及蚀刻等工艺加以形成。然而，由于光刻工艺无法避免地会具有对位误差，因此实际制作出的元件的各膜层间的相对位置亦会产生一定的偏差。特别是对于大尺寸显示面板而言，由于光罩的尺寸小于基板的尺寸，因此同一膜层的图案必须经历数次的光刻工艺才可定义出。在此状况下，对于同一显示面板而言，不同区域的像素结构内的薄膜晶体管的特性或储存电容值会因为对位误差而不一致，而严重影响显示品质。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种具有电容补偿结构的像素结构与薄膜晶体管。本专利技术的一实施例提供一种像素结构，包括一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管与一储存电容。第一薄膜晶体管具有一第一栅极、一第一源极、一第一漏极与一第一半导体层，且第一源极与第一漏极接触第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，包括:一第一薄膜晶体管，具有一第一栅极、一第一源极、一第一漏极与一第一半导体层，该第一源极与该第一漏极接触该第一半导体层；一第二薄膜晶体管，具有一第二栅极、一第二源极、一第二漏极与一第二半导体层，该第二源极与该第二漏极接触该第二半导体层，且该第二栅极具有一第一侧边面对该第一栅极，以及一第二侧边远离该第一栅极，其中，该第二栅极连接该第一源极，该第二半导体层具有一第一突出部与一第二突出部沿一第一方向分别突出于该第二栅极的该第一侧边与该第二侧边，该第一突出部的面积实质上小于该第二突出部的面积，且该第二半导体层不与该第一半导体层接触；以及一储存电容，具有一上电极、一下电极与一夹设于该上电...

【技术特征摘要】
2012.09.20 TW 1011344151.一种像素结构，包括: 一第一薄膜晶体管，具有一第一栅极、一第一源极、一第一漏极与一第一半导体层，该第一源极与该第一漏极接触该第一半导体层； 一第二薄膜晶体管，具有一第二栅极、一第二源极、一第二漏极与一第二半导体层，该第二源极与该第二漏极接触该第二半导体层，且该第二栅极具有一第一侧边面对该第一栅极，以及一第二侧边远离该第一栅极，其中，该第二栅极连接该第一源极，该第二半导体层具有一第一突出部与一第二突出部沿一第一方向分别突出于该第二栅极的该第一侧边与该第二侧边，该第一突出部的面积实质上小于该第二突出部的面积，且该第二半导体层不与该第一半导体层接触；以及 一储存电容，具有一上电极、一下电极与一夹设于该上电极与该下电极间的绝缘层，其中，该上电极由该第二源极与部分该第二半导体层所构成，该下电极由部分该第二栅极所构成，且该绝缘层更设置于该第一薄膜晶体管的该第一栅极与该第一半导体层的间以及设置于该第二薄膜晶体管的该第二栅极与该第二半导体层之间。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一突出部具有一第一长度与一第一宽度，该第二突出部具有一第二长度与一第二宽度，该第一突出部的该第一宽度实质上等于该第二突出部的该第二宽度，且该第一突出部突出于该第二栅极的该第一侧边的该第一长度实质上小于该第二突出部突出于该第二栅极的该第二侧边的该第二长度。3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该第一长度实质上介于I微米与3微米之间，且该第二长度实质上介于I微米与5微米之间。4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一薄膜晶体管、该第二薄膜晶体管与该储存电容皆还包括一介电层，设置于该第一薄膜晶体管的该绝缘层上、于该第二薄膜晶体管的该绝缘层上以及于该储存电容的该绝缘层上，其中，该介电层具有多个个开口，分别暴露出该第一薄膜晶体管的部分该第一半导体层、该第二薄膜晶体管的部分该第二半导体层与该储存电容的部分该第二半导体层，以使得该第一源极与该第一漏极经由部分该等开口与该第一半导体层接触以及使得该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：奚鹏博，陈钰琪，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：