一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及显示面板制造技术

本实用新型专利技术实施例提供了一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及显示面板，能够减小氧化物TFT的漏电流，可以改善显示面板的画面闪烁、串扰和残像等现象，提高显示性能。该氧化物TFT阵列基板包括：基板，设置于所述基板上的氧化物TFT、栅线、数据线和像素电极，所述氧化物TFT的漏极和所述像素电极相连，所述氧化物TFT的源极和所述数据线之间设置有导接结构，并通过所述导接结构相连，所述导接结构的电阻率大于所述源极金属的电阻率。本实用新型专利技术实施例适用于显示技术领域。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

Oxide thin film transistor array substrate and display panel

The embodiment of the utility model provides an oxide thin film transistor array substrate and display panel, can reduce leakage current of TFT oxide, can improve the panel screen flashes, crosstalk and afterimage phenomenon, improve display performance. The oxide TFT array substrate includes a substrate disposed on the substrate oxide TFT, gate lines, data lines and pixel electrodes, drain the oxide TFT is connected with the pixel electrode is provided with a connecting structure between the oxide TFT source and the data line, and through the the connecting structure is connected to the conductive connection structure resistivity greater than the resistivity of source metal. The embodiment of the utility model is suitable for the technical field of display.

【技术实现步骤摘要】

一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及显示面板
本技术涉及显示
，尤其涉及一种氧化物薄膜晶体管及显示面板。
技术介绍
氧化物有源层,如铟镓锌氧化物IGZ0(indium gallium zinc oxide)作为有源层，载流子迁移率是非晶硅的20-30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，是用于新一代TFT-1XD(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示)技术中的沟道层材料。因为TFT器件本身的漏电流导电机制主要是沟道热离子发射形成的空穴电流，TFT的漏电流会在光照的条件下剧增。为了减少氧化物有源层的光接触面积，氧化物TFT —般采用遮光型结构，如图1所示，栅线11位于氧化物有源层13、源极15和漏极16的下方，这样栅线11遮挡住了源极15和漏极16形成的沟道内的氧化物有源层，从而能够有效降低光照时电子空穴对产生的概率，大大降低光照产生的漏电流。然而，这种遮光性结构的氧化物TFT器件，源极15、漏极16直接和氧化物有源层13直接接触，在氧化物有源层13的两侧，氧化物有源层13和源极15、漏极16之间没有PN结，这样氧化物有源层13的空穴流入到源极15和漏极16，或源极15和漏极16的电子流入到氧化物有源层13，这使得氧化物有源层13和源极15、漏极16之间的漏电流增加，造成显示面板画面闪烁、串扰和残像等现象。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及显示面板，能够减小氧化物TFT的漏电流，可以改善显示面板的画面闪烁、串扰和残像等现象，提高显示性能。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案:一方面，本技术实施例提供了一种氧化物TFT阵列基板，包括:基板，设置于所述基板上的氧化物TFT、栅线、数据线和像素电极，所述氧化物TFT的漏极和所述像素电极相连，所述氧化物TFT的源极和数据线之间设置有导接结构，并通过所述导接结构相连，所述导接结构的电阻率大于所述源极金属的电阻率。可选的，所述导接结构与所述像素电极采用相同的透明导电材料。其中，所述氧化物TFT具体包括:设置于所述基板上的所述栅线；设置于所述栅线上的所述栅绝缘层；设置于所述栅绝缘层上位于栅线上方的氧化物有源层；设置于所述氧化物有源层上的刻蚀阻挡层；设置于所述刻蚀阻挡层上的所述源极、漏极，所述源极和漏极分别与所述氧化物有源层接触；其中，所述漏极与设置于像素区域的延伸至所述漏极的所述像素电极相连；所述氧化物TFT阵列基板还包括:设置于形成有所述像素电极的基板上的钝化层；设置于所述钝化层上的位于像素区域的公共电极。可选的，所述氧化物有源层为铟镓锌氧化物。另一方面，本技术实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述实施例描述的氧化物TFT阵列基板。本技术实施例提供的一种氧化物TFT阵列基板及显示面板，由于在源极15和数据线17之间设置有导接结构21，该导接结构21的电阻率大于源极15的金属的电阻率，这样可以减小源极15和氧化物有源层13直接接触产生的漏电流，从而减小氧化物TFT的漏电流，可以改善显示面板的画面闪烁、串扰和残像等现象，提高显示性能。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术的氧化物TFT阵列基板的俯视结构示意图；图2为现有技术的氧化物TFT阵列基板沿栅线上的A-A向剖视结构示意图；图3为本技术实施例提供的氧化物TFT阵列基板的俯视结构示意图；图4为本技术实施例提供的氧化物TFT阵列基板沿栅线上的A-A向剖视结构示意图；图5为本技术实施例提供的氧化物TFT阵列基板的制作方法流程图；图6为本技术实施例提供的氧化物TFT阵列基板的制作方法的第一次构图工艺后的结构示意图；图7为本技术实施例提供的氧化物TFT阵列基板的制作方法的第二次构图工艺后的结构示意图；图8为本技术实施例提供的氧化物TFT阵列基板的制作方法的第三次构图工艺后的结构示意图；图9为本技术实施例提供的氧化物TFT阵列基板的制作方法的第四次构图工艺后的结构示意图；图10为本技术实施例提供的氧化物TFT阵列基板的制作方法的第五次构图工艺后的结构示意图；图11为本技术实施例提供的氧化物TFT阵列基板的制作方法的第六次构图工艺后的结构示意图。附图标记说明:基板:10 ;栅线:11 ;栅绝缘层:12 ;氧化物有源层:13 ;刻蚀阻挡层:14 ;源极:15 ；漏极:16 ;数据线:17 ;像素电极:18 ;钝化层:19 ;公共电极:20 ;导接结构:21 ;源极和漏极断开的图 形:22。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是:本技术实施例的“上” “下”只是参考附图对本技术实施例进行说明，不作为限定用语。实施例一、本技术实施例提供了一种氧化物TFT阵列基板，包括基板10，设置于基板10上的氧化物TFT、栅线11、数据线17和像素电极18，其中，所述氧化物TFT的漏极16和所述像素电极18相连，源极15和数据线17之间设置有导接结构21，导接结构21分别和源极15、数据线17相连，源极15和数据线17通过该导接结构21相连。其中，导接结构21的电阻率大于源极15的金属的电阻率。由于源极15和数据线17之间设置有导接结构21，导接结构21的电阻率大于源极15的金属的电阻率，从而能够有效的增大源极15和氧化物有源层13之间的接触电阻，进而减小源极15和氧化物有源层13之间的漏电流，从而能够提升TFT的显示品质和稳定性。如图3、4所示,示例性的，以下以边缘场开关(Advanced Dimension Switch,简称ADS)型的氧化物TFT阵列基板的单个子像素为例具体描述该TFT阵列基板的结构。其中，该氧化物TFT阵列基板包括:基板10 ；设置于基板10上的所述栅线11 ；设置于所述栅线11上的栅绝缘层12 ；设置于栅绝缘层12上位于栅线上方的氧化物有源层13 ；设置于氧化物有源层13上的刻蚀阻挡层14，该刻蚀阻挡层14在制作氧化物TFT阵列基板的过程中，用于防止形成源极15和漏极16的过程中，源极15和漏极16之间形成的沟道内的氧化物有源层13被刻蚀，刻蚀阻挡层14的至少覆盖源极15和漏极16之间的沟道，图4中示例性的，示出除源极15、漏极16和氧化物有源层13接触的区域外的栅线11的其它区域都覆盖有刻蚀阻挡 层14。在实际的制作过程中，刻蚀阻挡层14的图形可视实际制作工艺和要求而定，本技术对此不作具体限定；设置于所述刻蚀阻挡层14上的所述源极15、漏极16和数据线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化物TFT阵列基板，包括：基板，设置于所述基板上的氧化物TFT、栅线、数据线和像素电极，所述氧化物TFT的漏极和所述像素电极相连，其特征在于，所述氧化物TFT的源极和数据线之间设置有导接结构，并通过所述导接结构相连，所述导接结构的电阻率大于所述源极金属的电阻率。

【技术特征摘要】
1.一种氧化物TFT阵列基板，包括:基板，设置于所述基板上的氧化物TFT、栅线、数据线和像素电极，所述氧化物TFT的漏极和所述像素电极相连，其特征在于， 所述氧化物TFT的源极和数据线之间设置有导接结构，并通过所述导接结构相连，所述导接结构的电阻率大于所述源极金属的电阻率。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导接结构与所述像素电极采用相同的透明导电材料。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物TFT具体包括: 设置于所述基板上的所述栅线； 设置于所述栅线上的所述栅绝缘层； 设置于所述栅绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：操彬彬，杨成绍，周伯柱，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：