描述了一种光刻工艺中的数据准备的方法。该方法包括在图形数据库系统GDS网格中提供集成电路(IC)布局设计，将IC布局设计GDS网格转换成第一曝光网格，对第一曝光网格应用无方向性抖动技术，在对第一曝光网格应用抖动的同时，对第一曝光网格应用...

本发明涉及一种光刻处理中的数据准备的方法。该数据准备的方法包括：在图形数据库系统(GDS)网格中提供集成电路(IC)布局设计，通过对子像素曝光网格应用误差扩散和网格移位技术，将IC布局设计GDS网络转换为第二曝光网格。本发明还提供了一种...

本发明公开了一种光刻系统。该光刻系统包括：光刻曝光工具，被设计用于对涂布在集成电路衬底上的辐射敏感材料层执行曝光工艺；对准模块，与光刻曝光工具相连接，被设计用于对准测量，并且被配置用于将集成电路衬底传送至光刻曝光工具；以及对准校准模块，...

本发明涉及用于提取鳍片高度和叠加电容的方法及实施该方法的结构。其中，第一测试结构包括第一隔离区、位于该第一隔离区上方的第一栅电极、第一和第二半导体鳍片、以及位于该第一和第二半导体鳍片上方的第一接触塞。第二测试结构包括第二隔离区、位于该第...

HF气相蚀刻方法蚀刻高纵横比开口以形成MEMS器件和结构之间具有0.2um气隙的其他紧密封装的半导体器件。HF气相蚀刻方法蚀刻氧化物插塞和具有空隙部分和氧化物衬里部分的间隙，并且进一步蚀刻埋置在硅和其他结构下方的氧化物层并且理想地适于释...

一种用于RF和其他频率通过芯片界面(TCI)应用的变压器包括在三维集成电路(3DIC)技术中彼此处于无线电子通信的多个芯片。每一个芯片都包括电感线圈和与电感线圈的阻抗相匹配的匹配网络。匹配网络电连接在电感线圈和形成在芯片上的另外的元件和...

本发明是有关于一种集成电路(IC)方法，此方法包含提供一IC设计布局；模拟上述IC设计布局的热效应；根据上述的热效应的模拟来模拟上述IC设计布局的电气性能；以及根据上述电气性能的模拟，进行上述IC设计布局的热虚拟置入。本发明通过将虚拟热...

双栅极横向MOSFET包括：衬底上方的漂移区、在漂移区中形成的隔离区和在漂移区中形成的沟道区。双栅极横向MOSFET包括：在漂移区中形成的漏极区和在沟道区中形成的源极区，其中，源极区和漏极区形成在隔离区的相对两侧。双栅极横向MOSFET...

本发明提供了一种细小间距的层叠封装件POP以及其形成方法。POP通过将连接件如焊球放置在具有半导体管芯连接到其上的第一衬底上来形成。实施第一回流焊工艺以使焊球伸长。之后，具有另一半导体管芯连接到其上的第二衬底与焊球连接。实现第二回流焊工...

本发明提供一种半导体器件。半导体器件包括形成在衬底上方的第一金属层部件。半导体器件包括形成在第一金属层部件上方的通孔。通孔具有凹陷形状。半导体器件包括形成在通孔上方的第二金属层部件。半导体器件包括形成在衬底上方的第一介电层部件。第一介电...

本发明公开了一种用于通过在组中的掩模之间将框架区域中的掩模材料的密度同步来减少层重叠误差的方法。示例性方法包括：创建对应于掩模的掩模设计数据库，并且包含具有一个或多个管芯的管芯区域和管芯区域之外的框架区域。识别框架区域内的基准部件，并且...

本发明公开了一种制造波导器件的方法。方法包括提供具有电互连区和波导区的衬底以及在电互连区内的衬底上方形成图案化介电层和图案化再分布层(RDL)。方法还包括通过接合叠层将图案化RDL接合至垂直腔面发射激光器(VCSEL)。在波导区内的衬底...

本发明公开了一种器件，所述器件包括与衬底结构接合的盖式衬底。所述衬底结构包括集成电路结构。所述集成电路结构包括设置在气体外泄阻止结构上的顶部金属层。至少一个MEMS器件设置在所述顶部金属层和所述气体外泄阻止结构的上方。本发明还公开了一种...

本发明涉及增强抛光垫清洁从而防止化学机械抛光(CMP)工艺中的晶圆刮伤和污染的两相清洁元件。在一些实施例中，两相垫清洁元件包括被配置成相继对一段CMP抛光垫进行操作的第一清洁元件和第二清洁元件。第一清洁元件包括兆频超声波清洁喷射件，其被...

在一些实施例中，本发明内容涉及被配置成在工件周围形成对称的等离子体分布的等离子体处理系统。在一些实施例中，等离子体处理系统包括在处理室周围对称设置的多个线圈。当向线圈提供电流时，独立线圈发射出独立磁场，磁场用于离子化靶原子。独立磁场在线...

本发明涉及一种磁阻随机存取存储器(MRAM)器件及其制造方法。该MRAM器件包括磁固定层、用作自由层的复合GMR结构、将固定和GMR层分离的非磁阻挡层。该阻挡层用以减少自由层和GMR结构的磁连接，以及提供用于保持器件中的二进制数据(0或...

公开的实施例包括一种电容器结构及形成电容器结构的方法。实施例是一种包括位于衬底上的导体-绝缘体-导体电容器的结构。该导体-绝缘体-导体电容器包括位于衬底上的第一导体、位于第一导体上的介电堆叠件、以及位于介电堆叠件上方的第二导体。介电堆叠...

本发明提供了一种高压金属氧化物半导体横向扩散器件(HV?LDMOS)，尤其是绝缘栅双极结型晶体管(IBGT)，以及其制造方法。该器件包括半导体衬底、形成在衬底上的栅极结构、形成在衬底内栅极结构的两侧的源极和漏极，形成在衬底内的第一掺杂阱...

一种半导体器件，包括形成在硅衬底上的场效应晶体管(finFET)。该器件包括：多个有源区，每一个都具有被分为规则鳍状件和至少一个边缘鳍状件的多个等间隔鳍状件；栅极结构，在规则鳍状件之上；以及漏极区和源极区，电连接至规则鳍状件并且与至少一...

用于减少条纹图案的方法包括从经过激光退火的背照式图像传感器晶圆的背面接收散射光信号；基于该散射光信号生成背面图像；确定经过激光退火的背照式图像传感器晶圆的传感器阵列的边缘和相邻的激光束边界之间的距离；以及如果该距离小于预定值，重新校准激...