本发明提供了一种SRAM单元结构。在一个实施例中，位单元第一层接触件形成于第一CVdd节点和第二CVdd节点、第一CVss节点和第二CVss节点、位线节点、位线条节点、数据节点和数据条节点；并且第二层接触件形成于在第一CVdd节点和第二...

公开了一种极紫外光刻(EUVL)的工艺。该工艺包括：接收具有多种形态件的极紫外(EUV)掩模。将EUV掩模的不同形态件分配给邻近的多边形和场。通过部分相干性σ小于0.3的几乎轴上照明(ONI)暴露EUV掩模以产生衍射光和非衍射光。去除大...

本发明提供了一种敏感材料。该敏感材料包括响应于与酸的反应转变成可溶于碱液的聚合物；响应于辐射能分解以形成碱的多种光产碱剂(PBG)；以及响应于热能产生酸的热敏组分。本发明公开了方法和双敏感光刻胶的组成。

本发明涉及感光材料在负性显影剂中的溶解性的方法和材料。感光材料可以包括作为主链的支链的大于50％的酸不稳定基团。在另一实施例中，处理曝光或照射后的感光材料。示例性处理包括对感光材料应用碱。本发明提供了感光材料及光刻方法。

本发明公开了一种制造具有碳基电荷消散(CBCD)层的光刻掩模的方法。所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上沉积不透明层，涂覆光刻胶，以及在所述光刻胶上方或者下方沉积电荷消散层。通过电子束写入图案化所述光刻胶。在对所述光刻胶进行显影期间去除...

本发明涉及一种形成MEMS纳米结构的方法，该方法包括：将部分衬底凹进，从而在该衬底内形成多个台面。多个台面中的每个台面均具有顶面和侧壁面。在该衬底之上方沉积反光层，从而覆盖每个台面的顶面和侧壁面。在反光层之上形成保护层。在保护层之上形成...

本发明是有关于一种半导体制造的微影方法，包括进行一高精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上，以及进行一低精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上。第一曝光制程形成包括主动图案及虚设图案的图案。第二曝光制程去除虚设图...

提供用于鳍式场效晶体管(FinFET)器件的栅极应激源。栅极应激源包括底面、第一应激源侧壁、以及第二应激源侧壁。在栅极层的第一部分上形成底面。栅极层设置在浅沟槽隔离(STI)区域上。在栅极层的第二部分上形成第一应激源侧壁。栅极层的第二部...

本实施例是一种FinFET器件。FinFET器件包括鳍、第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域和沟道区域。鳍凸起在衬底上方。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域位于鳍中。沟道区域横向地位于第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间。沟...

本发明涉及非易失性半导体存储器的UV编程系统和方法，半导体存储器存储器件包括设置在半导体衬底中的第一掺杂类型的第一和第二掺杂区域。第一类型的第一和第二掺杂区域彼此横向隔开。栅极电介质在第一和第二掺杂区域之间的半导体衬底的上方延伸，并且浮...

一种方法包括在第二封装组件的第一面上接合第一封装组件，以及从第二封装组件的第二面探测第一封装组件和第二封装组件。通过探测位于第二封装组件的第二面上的连接件执行探测步骤。连接件连接至第一封装组件。在探测步骤之后，在第二封装组件的第一面上接...

提供了方法和器件，包括设置在衬底上方的多个不同配置的栅极结构。例如，第一栅极结构与第一类型的晶体管相关联，并且包括第一介电层和第一金属层；第二栅极结构与第二类型的晶体管相关联，并且包括第二介电层、第二金属层、多晶硅层、第一介电层和第一金...

本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：在衬底之上提供第一掩模图案；形成与第一掩模图案的侧壁邻接的第一隔离物；去除第一掩模图案；形成与第一隔离物的侧壁邻接的第二隔离物；在衬底之上和第二隔离物之间形成填充层；以及在衬底之上形成第二掩模...

本发明公开了一种ROM单元，所述ROM单元包括：形成在存储单元中的晶体管的第一有源区上的第一第一层接触件，形成在第一第一层接触件上的第一第二层接触件，其中第一第二层接触件以第一方向相对于第一第一层接触件偏移。该ROM单元还包括形成在所述...

一种电压摆动分解电路，包括第一和第二钳位电路以及保护电路。第一钳位电路被配置成当电压摆动分解电路的输入节点具有高于第一电压电平的电压时，将第一钳位电路的输出节点钳位在第一电压电平处。第二钳位电路被配置成当输入节点的电压低于第二电压电平时...

提供具有降低电阻率的镍化物材料作为NMOS和PMOS技术中的源极/漏极接触面。镍化物材料层可以是三元材料诸如NiInAs，并且可以由先前在源极/漏极区中形成的二元材料形成。二元材料可以是沟道材料，或者其可以是在沟道材料上方形成的外延层。...

提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件。该FinFET器件包括超晶格层和应变层。该超晶格层由衬底支撑。该应变层设置在超晶格层上，并且提供了栅极沟道。栅极沟道由超晶格层产生应力。在实施例中，通过堆叠不同的硅锗合金或者堆叠其他的II...

本发明一种实施例的结构包括衬底、高能带隙材料以及高载流子迁移率材料。衬底包括第一隔离区以及第二隔离区。第一隔离区和第二隔离区中的每一个都延伸至所述第一和第二隔离区之间的衬底的第一表面之下。高能带隙材料在衬底的第一表面上方并且设置在第一和...

一种产品，包括：掺杂层、掺杂层上方的主体结构、掺杂层中限定的沟槽、部分填充沟槽的绝缘体、以及埋置在绝缘体中并且通过绝缘体与掺杂层和主体结构隔离的第一导电部件。掺杂层具有第一掺杂类型。主体结构具有上表面，并且包括体区。体区具有不同于第一掺...

本发明公开的一种横向沟槽MOSFET包括在绝缘体上硅衬底上方形成的介电隔离沟槽。横向沟槽MOSFET还包括在漏极/源极区和绝缘体之间形成的第一漂移区，以及在介电隔离沟槽与绝缘体之间形成的第二漂移区。介电沟槽和绝缘体有助于完全耗尽漂移区。...