【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体存储器存储器件，包括：第一掺杂类型的第一掺杂区域，设置在半导体衬底中，用于限定源极；所述第一掺杂类型的第二掺杂区域，设置在所述半导体衬底中，用于限定漏极，所述第二掺杂区域与所述第一掺杂区域横向隔开；栅极电介质，在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间的所述半导体衬底的上方延伸；浮栅，设置在所述栅极电介质上；以及紫外线(UV)光阻隔材料，垂直设置在所述浮栅的上方，所述UV光阻隔材料具有覆盖所述浮栅的大小，使得在所述半导体存储器存储器件暴露于UV光之后所述浮栅保持充电。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陆湘台，林志贤，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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