本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括硅衬底。第一III-V族化合物层设置在硅衬底上方。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上方。半导体器件包括设置在第一III-V族化合物层并且部分设置在第二III-V族化合物层中...

本发明公开了一种器件，该器件包括多个STI区、位于多个STI区之间且相互平行的多个半导体条以及位于半导体条上方的多个半导体鳍状件。栅堆叠件设置在多个半导体鳍状件的上方并横穿多个半导体鳍状件。漏极外延半导体区设置在栅堆叠件的一侧并与多个半...

本公开内容涉及用于减少拐角圆化的具有光学邻近度校正的切分拆分，其中，提供一种集成电路(IC)方法的一个实施例。该方法包括：接收具有主要特征的IC设计布局，主要特征包括两个拐角和跨越于两个拐角之间的边；对边执行特征调节；对边执行切分，从而...

提供一种用于测试电连接的系统和方法。在一个实施例中，可以制造一个或者多个浮置焊盘与凸块下金属化结构电连接。然后可以执行测试以经过浮置焊盘测量凸块下金属化结构的电特性以便测试缺陷。取而代之，传导连接可以形成于凸块下金属化上，并且可以对传导...

提供了一种电感器器件和形成电感器器件的方法。在一些实施例中，电感器器件包括所设置的后钝化互连(PPI)层和凸块下金属化(UBM)层，每个都设置在衬底之上。PPI层形成线圈和伪焊盘。伪焊盘设置在线圈的大部分周围，以使线圈免受电磁干扰。UB...

用于鱼骨形差分电容器的结构和方法。本发明提供了一种集成电路，所述集成电路包括具有由第一轴线和与第一轴线垂直的第二轴线限定的表面的衬底；以及设置在所述衬底上的电容器结构。所述电容器结构包括第一导电部件；以及对称配置在所述第一导电部件相对侧...

提供了一种半导体RF或无线回路的传输线结构及其形成方法。传输线结构包括实施例，具有第一管芯，该第一管芯包括第一衬底、第一绝缘层和接地层；以及第二管芯，该第二管芯包括第二衬底、第二绝缘层和信号传输线。第二管芯可能定位于第一管芯上方并与其间...

一种器件包括衬底、衬底上方的焊盘。保护层设置在接合焊盘上方。保护层和接合焊盘包括不同的材料。接合焊球设置在保护层上方。接合引线连接至焊球。本发明还提供了集成电路的引线接合结构。

公开了制造具有混合HK/金属栅极堆叠件的半导体器件的方法。该方法包括提供半导体衬底，该半导体衬底具有位于PFET和NFET区域之间的多个隔离部件，和在半导体衬底上形成栅极堆叠件。在PFET区域中，栅极堆叠件形成为HK/金属栅极。在NFE...

用于半导体制造工具的阀净化组件。本发明提供了一种半导体制造工具和操作该工具的方法。半导体制造工具包括在其中实施等离子体操作或离子蚀刻操作的处理室和用于打开和关闭阀的阀组件，所述阀用于在半导体制造工具内外装载和卸载衬底。在室中实施处理操作...

控制半导体晶圆制造工艺的系统和方法。该方法包括在晶圆加工模块中在晶圆加工组件上设置半导体晶圆。从以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角设置的信号发射器发射信号以检查模块中晶圆的平整度，以使从晶圆反射信号。实施例包括在信号接收器以相对...

公开了封装方法和封装的半导体器件。在一个实施例中，一种封装方法包括提供第一管芯、部分封装第一管芯并且在部分封装的第一管芯的表面上形成多个焊球。环氧助焊剂设置于多个焊球上方。提供第二管芯，并且部分封装第二管芯。多个焊球连接到部分封装的第二...

一种制造半导体器件的方法包括提供衬底，在该衬底上设置有鳍片。在鳍片上形成栅极结构。该栅极结构与鳍片的至少两个侧面通过界面接合。在衬底上包括在鳍片上形成应力膜。对包括应力膜的衬底进行退火。退火在鳍片的沟道区中提供拉伸应变。例如，可以传递应...

公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括在工件中形成沟道区，以及接近沟道区形成源极或者漏极区。源极或者漏极区包括接触电阻降低材料层，其包含SiP、SiAs或者硅化物。源极或者漏极区还包括沟道应力材料层，...

本发明提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底的上方形成多个电路器件。该方法包括在衬底的上方形成有机层。有机层形成在多个电路器件的上方。该方法包括抛光有机层以平坦化有机层的表面。在抛光之前，不高温热处理有机层。有机材料在抛光期间是...

本发明公开的一种存储单元包括：第一、第二和第三列器件。第一列器件包括第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一开关以及第二开关。第二列器件包括第三下拉晶体管、第四下拉晶体管、第三开关，以及第四开关。第三列器件包括第一上拉晶体管以及第二上拉晶体...

本发明提供在半导体衬底中形成的集成电路。集成电路包括：具有第一单元尺寸的第一静态随机存取存储器(SRAM)单元；以及具有大于第一单元尺寸的第二单元尺寸的第二SRAM单元。第一SRMA单元包括第一n型场效应晶体管(nFET)，每一个都具有...

本发明提供了半导体存储器及其制造方法。其中，一种半导体存储器包括：集成电路(IC)内的第一位单元、以及同一IC内的第二位单元。第一位单元具有第一布局，第二位单元具有不同于第一布局的第二布局。

在一种方法中，生成存储器阵列的第一方向上的第一跟踪信号的第一边沿。生成存储器阵列的第二方向上的第二跟踪信号的第一边沿。基于第一跟踪信号的第一边沿和第二跟踪信号的第一边沿中的较慢边沿生成写定时控制信号的第一边沿。写定时控制信号的第一边沿用...

一种计算机实现的系统包括被编程用于分析电路来为设计、制造以及测试电路中的至少一个来确定所述电路对输入射频(RF)信号的响应的处理器。中介层模型被包括在将由处理器访问的有形非暂时性机器可读存储介质中。中介层模型由所述计算机处理以输出表示衬...