存储单元以及存储阵列制造技术

本发明专利技术公开的一种存储单元包括：第一、第二和第三列器件。第一列器件包括第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一开关以及第二开关。第二列器件包括第三下拉晶体管、第四下拉晶体管、第三开关，以及第四开关。第三列器件包括第一上拉晶体管以及第二上拉晶体管。第一上拉晶体管、第一下拉晶体管以及第三下拉晶体管被连接成为第一反相器，以及第二上拉晶体管、第二下拉晶体管以及第四下拉晶体管被连接成为第二反相器。第一反相器和第二反相器交叉连接。第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关与第一及第二反相器的输出端连接。本发明专利技术还公开了存储阵列。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种存储单元，包括：第一数据节点、第一互补数据节点、第二数据节点以及第二互补数据节点；第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一开关和第二开关，沿第一方向对准成为第一列器件；第三下拉晶体管、第四下拉晶体管、第三开关和第四开关，沿所述第一方向对准成为第二列器件；以及第一上拉晶体管和第二上拉晶体管，沿所述第一方向对准成为第三列器件；所述第一上拉晶体管、所述第一下拉晶体管以及所述第三下拉晶体管被连接成为第一反相器，所述第一反相器具有第一输出端；所述第二上拉晶体管、所述第二下拉晶体管以及所述第四下拉晶体管被连接成为第二反相器，所述第二反相器具有第二输出端；所述第一反相器和所述第二反相器交叉连接，以及所述第一...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林子贵，廖宏仁，廖忠志，陈炎辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：