基于FinFET的ESD器件及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种器件，该器件包括多个STI区、位于多个STI区之间且相互平行的多个半导体条以及位于半导体条上方的多个半导体鳍状件。栅堆叠件设置在多个半导体鳍状件的上方并横穿多个半导体鳍状件。漏极外延半导体区设置在栅堆叠件的一侧并与多个半导体鳍状件连接。漏极外延半导体区包括与半导体鳍状件相邻的第一部分，其中第一部分形成位于多个半导体条上方并与多个半导体条对准的连续区。漏极外延半导体区还包括与第一部分相比远离栅堆叠件的第二部分。第二部分中的每一个都位于一个半导体条上方并与该半导体条对准。第二部分相互平行并由介电材料相互分隔开。本发明专利技术还公开了基于FinFET的ESD器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种器件，包括：多个浅沟槽隔离(STI)区；位于所述多个STI区之间且相互平行的多个半导体条；位于所述多个半导体条上方的多个半导体鳍状件；位于所述多个半导体鳍状件上方并横穿所述多个半导体鳍状件的栅堆叠件；以及位于所述栅堆叠件的一侧的漏极外延半导体区，所述漏极外延半导体区连接到所述多个半导体鳍状件，其中所述漏极外延半导体区包括：与所述多个半导体鳍状件相邻的第一部分，其中所述第一部分形成为位于所述多个半导体条上方并与所述多个半导体条对准的连续区；和与所述第一部分相比远离所述栅堆叠件的第二部分，其中所述第二部分中的每一个都位于所述多个半导体条中的一个上方并与该半导体条对准，以及所述第二部分相互平行并...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林文杰，娄经雄，曾仁洲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：