控制半导体晶圆制造工艺的系统和方法技术方案

控制半导体晶圆制造工艺的系统和方法。该方法包括在晶圆加工模块中在晶圆加工组件上设置半导体晶圆。从以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角设置的信号发射器发射信号以检查模块中晶圆的平整度，以使从晶圆反射信号。实施例包括在信号接收器以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定反射角监控反射信号。如果在信号接收器处没有接收到反射信号则生成报警指示。

【技术实现步骤摘要】
控制半导体晶圆制造工艺的系统和方法
本专利技术总体上涉及半导体晶圆制造工艺，更具体地，涉及控制半导体晶圆传送的系统和方法。
技术介绍
在半导体晶圆制造设备中通过多个半导体工艺生产集成电路。这些工艺及相关的制造工具可以包括热氧化、扩散、离子注入、快速热处理(RTP)、化学汽相沉积(CVD)、物理汽相沉积(PVD)、外延形成/生长工艺、蚀刻工艺、光刻工艺和/或其他制造工艺和工具。晶圆处理系统接受来自工厂材料处理系统的半导体晶圆并使晶圆对准用于后续加工。可以在加载锁(loadlock)中对准并映射或定位晶圆。晶圆处理系统利用在机械臂的端部通常具有机械叶片的机械机构在晶圆盒模块、加载互锁真空室(loadlockchamber)、传送模块和各种工艺或反应室之间传送晶圆。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种控制半导体晶圆制造工艺的方法，包括：在晶圆加工模块中的晶圆支撑组件上设置半导体晶圆；从以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角设置的信号发射器发射信号，以检查模块中的晶圆的平整度，以便从晶圆反射信号；在信号接收器处以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定反射角监控所反射的信号；以及如果在信号接收器处没有接收到所反射的信号，则生成报警指示。该方法进一步包括：沿着晶圆加工模块的第一侧设置信号发射器，以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角发射信号；以及沿着晶圆加工模块的与第一侧相对的第二侧设置信号接收器，以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定反射角接收所反射的信号。该方法进一步包括：在沿着晶圆加工模块的第一侧的第一位置设置信号发射器，以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角发射信号；以及在沿着晶圆加工模块的第一侧的第二位置设置信号接收器，以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定反射角接收所反射的信号。该方法进一步包括：在信号接收器处接收所反射的信号；测定所接收信号相对于晶圆的反射角；将所测定的反射角与预定反射角进行比较；以及如果比较指示晶圆的平整度是基本上未对准的，则生成报警指示。该方法进一步包括：如果比较指示所测定的反射角和预定反射角之间的差值为至少0.2度时，则生成报警指示。该方法进一步包括：如果比较指示所测定的反射角和预定反射角之间的差值为大于0.6度时，则生成报警指示。该方法进一步包括：在模块中在晶圆支撑组件的第一表面上方设置晶圆；使用顶销组件将晶圆降低至第一表面；其中，发射信号的步骤包括以相对于与晶圆支撑组件的第一表面垂直的轴的预定发射角从信号发射器发射，以便从降低的晶圆反射信号；以及监控步骤包括在信号接收器处以相对于与晶圆支撑组件的第一表面垂直的轴的预定反射角监控所反射的信号。该方法进一步包括：在模块中沿着静电卡盘的第一表面设置晶圆；将静电卡盘的两个或更多个电极通电，以将晶圆静电吸持到第一表面；其中，发射信号的步骤包括以相对于与静电卡盘的第一表面垂直的轴的预定发射角从信号发射器发射。该方法进一步包括：接收报警指示；以及基于报警指示目检模块中的晶圆。此外，还提供了一种控制半导体晶圆制造工艺的方法，包括：在半导体晶圆加工模块中的晶圆支撑组件上设置半导体晶圆；从以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角设置的信号发射器发射信号，以检查模块中的晶圆的平整度，以便从晶圆反射信号；在信号接收器处以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定反射角监控所反射的信号；在信号接收器处接收所反射的信号；使用所反射的信号测定晶圆倾斜角；以及如果所测定的晶圆倾斜角指示晶圆的平整度是基本上未对准的，则生成报警指示。该方法进一步包括：如果所测定的晶圆倾斜角是至少0.2度，则生成报警指示。该方法进一步包括：如果所测定的晶圆倾斜角是至少0.6度，则生成报警指示。此外，还提供了一种控制半导体晶圆制造工艺的系统，包括：半导体晶圆加工模块；晶圆支撑组件，用于在加工模块中支撑半导体晶圆；信号发射器，当晶圆被晶圆支撑组件支撑时，信号发射器以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角设置；信号接收器，当晶圆被晶圆支撑组件支撑时，信号接收器以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定反射角设置，信号接收器进一步包括：监控设备，用于监控来自晶圆的反射信号；数据测定设备，用于测定反射信号相对于晶圆的反射角；和数据比较器，用于测定所测定的反射角和预定反射角之间的差值；以及生成器，如果比较器指示晶圆的平整度是基本上未对准的，则生成报警指示。该系统进一步包括：观察组件，位于半导体晶圆加工模块中，观察组件基于生成的报警指示对模块中的晶圆实施目检。其中，半导体晶圆加工模块是加载互锁室。其中，半导体晶圆加工模块是装载台。其中，半导体晶圆加工模块是气锁。其中，半导体晶圆加工模块是反应室。其中，信号发射器是耐真空的，并且信号接收器是耐真空的传感器。其中，信号发射器和信号接收器设置在反应室的相对内侧壁上。附图说明当结合随附示例性儿非限制性的实施例进行考虑时，通过参照以下详细描述，本专利技术的各方面对于本领域技术人员而言是显而易见的或者会变得显而易见。图1是示出根据本专利技术实施例的控制半导体晶圆制造工艺的方法的流程图。图2是示出根据一些实施例的控制半导体晶圆制造工艺的方法的流程图。图3是示出根据本专利技术实施例的控制半导体晶圆制造工艺的方法的流程图。图4是示出根据本专利技术实施例的控制半导体晶圆制造工艺的方法的流程图。图5是根据一些实施例的计算机处理单元的架构的示例性实施例的示图。图6A-图6G是根据本专利技术的多个实施例的控制半导体晶圆制造工艺的系统的至少一部分的示例性实施例的简化截面图。图7是根据本专利技术实施例的控制半导体晶圆制造工艺的系统的至少一部分的实例。具体实施方式参照附图描述了控制半导体晶圆制造工艺的系统和方法的多个实施例，在附图中相似的元件给出相似的参考标记以便于理解附图。对这些附图未按比例进行绘制。提供以下描述作为促进教导的代表性实例集。本领域技术人员将认识到对本文所述的实施例可以做出许多变化而仍获得有益的效果。下面论述的一些期望的益处可以通过选择本文所论述的一些部件或步骤而不利用其他部件或步骤来获得也是显而易见的。因此，本领域工作人员将认识到许多修改和改变以及本文所述的部件和步骤的子集是可能的，并且在某些情况下甚至可以是期望的。因此，提供以下描述作为说明性的而非限制性的。示例性实施例的这种描述旨在结合附图一起进行描述，附图被视为整个说明书的一部分。在本文所公开的实施例的描述中，任何对方向或方位的提及仅旨在用于方便描述的目的，而不以任何方式来限制本专利技术的范围。相对术语诸如“下”、“上”、“水平的”、“垂直的”、“在......上方”、“在......下方”、“向上”、“向下”、“顶部”和“底部”及其派生词(例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等)应该被解释为是指如随后所述的或者如论述中的附图所示的方位。这些相对术语仅是为了便于描述，并不要求在具体方位上构造或操作装置。而且，参照示例性实施例描述各种部件和益处。因此，本专利技术的主旨和所附权利要求明显不限于这些优选的实施例。除非上下文另有明确且不含糊的规定，如本文所用的，诸如“一个(一种)”和“该”的单数冠词的使用不排除冠词的宾语的复数形式。恰当的晶圆平整在晶圆传送和加工的各个阶段都是重要的。例如，反应室通常包括在加工期间支撑半导体晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制半导体晶圆制造工艺的方法，包括：在晶圆加工模块中的晶圆支撑组件上设置半导体晶圆；从以相对于与所述晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角设置的信号发射器发射信号，以检查所述模块中的所述晶圆的平整度，以便从所述晶圆反射所述信号；在信号接收器处以相对于与所述晶圆支撑组件垂直的轴的预定反射角监控所反射的信号；以及如果在所述信号接收器处没有接收到所反射的信号，则生成报警指示。

【技术特征摘要】
2012.03.14 US 13/419,9521.一种控制半导体晶圆制造工艺的方法，包括：在晶圆加工模块中的晶圆支撑组件上设置半导体晶圆；以相对于与所述晶圆支撑组件垂直的轴来确定预定反射角，沿着所述半导体晶圆的顶面的中心偏移预定距离来确定预期反射点；沿着所述晶圆加工模块的第一侧壁在与所述晶圆支撑组件的表面为第一距离的第一位置处并且在所述预期反射点以相对于所述晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角来设置信号发射器；沿着所述晶圆加工模块的与所述第一侧壁相对的第二侧壁在与所述晶圆支撑组件的表面为第二距离的第二位置处设置信号接收器，其中，所述第一距离不同于所述第二距离，并且，所述第一距离和所述第二距离均基于所述预定反射角、所述预定发射角以及所述预期反射点来确定；从所述信号发射器向所述预期反射点发射信号，以检查所述模块中的所述晶圆的平整度，以便从所述晶圆反射所述信号；在所述信号接收器处接收所反射的信号；测定所接收信号相对于所述晶圆的反射角；将所测定的反射角与所述预定反射角进行比较；以及如果比较指示所述晶圆的平整度是未对准的，则生成报警指示。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：如果比较指示所测定的反射角和所述预定反射角之间的差值为至少0.2度时，则生成报警指示。3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：如果比较指示所测定的反射角和所述预定反射角之间的差值为大于0.6度时，则生成报警指示。4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述模块中在所述晶圆支撑组件的第一表面上方设置所述晶圆；使用顶销组件将所述晶圆降低至所述第一表面；其中，发射所述信号的步骤包括以相对于与所述晶圆支撑组件的第一表面垂直的轴的预定发射角从所述信号发射器发射，以便从降低的晶圆反射所述信号；以及监控步骤，所述监控步骤包括在信号接收器处以相对于与所述晶圆支撑组件的第一表面垂直的轴的预定反射角监控所反射的信号。5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述模块中沿着静电卡盘的第一表面设置所述晶圆；将所述静电卡盘的两个或更多个电极通电，以将所述晶圆静电吸持到所述第一表面；其中，发射所述信号的步骤包括以相对于与所述静电卡盘的第一表面垂直的轴的预定发射角从所述信号发射器发射。6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：接收所述报警指示；以及基于所述报警指示目检所述模块中的所述晶圆。7.一种控制半导体晶圆制造工艺的方法，包括：在半导体晶圆加工模块中的晶圆支撑组件上设置半导体晶圆；以相对于与所述晶圆支撑组件垂直的轴来确定预定反射角，沿着所述半导体晶圆的顶面的中心偏移预定距离来确定预期反射点；沿着所述晶圆加工模块的第一侧壁在与所述晶圆支撑组件的表面为第一距离的第一位置处并且在所述预期反射点以相对于所述晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角来设置信号发射器；沿着所述晶圆加工模块的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈世宏，萧颖，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：