半导体存储器及其制造方法技术

技术编号:9171834 阅读:177 留言:0更新日期:2013-09-19 20:51
本发明专利技术提供了半导体存储器及其制造方法。其中,一种半导体存储器包括:集成电路(IC)内的第一位单元、以及同一IC内的第二位单元。第一位单元具有第一布局,第二位单元具有不同于第一布局的第二布局。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体存储器,包括:集成电路(IC)内的第一位单元,所述第一位单元具有第一布局;以及在与所述第一位单元相同的所述IC内的第二位单元,所述第二位单元具有第二布局,其中,所述第一布局不同于所述第二布局。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:廖忠志
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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