本发明公开了一种半导体器件封装件及半导体器件封装方法。在一种实施例中，由于半导体器件的封装件包括衬底以及设置在衬底的第一表面上的接触焊盘。接触焊盘具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧。导电线路连接至接触焊盘的第一侧，并且导电线路的延伸部连...

一种半导体封装件结构包括衬底、接合到衬底的管芯以及将管芯连接到衬底的一个或多个柱形凸块结构，其中每个柱形凸块结构都具有柱形凸块和封装该柱形凸块的焊球，从而增强散热并降低半导体封装件结构中的高应力集中。本发明提供了用于半导体封装组件的柱形...

用于焊料连接的方法和装置。一种装置包括在表面上具有导电终端的衬底；位于衬底的表面和导电终端的上方的钝化层；位于钝化层中的暴露出导电终端的一部分的开口；接合至开口中的导电终端并在垂直于衬底的表面的方向上延伸的至少一个柱形凸块；以及在开口中...

一种器件包括半导体衬底和金属氧化物半导体(MOS)晶体管。MOS晶体管包括位于半导体衬底上方的栅电极和位于栅电极旁边的源极/漏极区。源极/漏极接触塞包括下部和位于下部上方的上部，其中源极/漏极接触塞设置在源极/漏极区上方并且与其电连接。...

本发明提供了用于形成后制作通孔的贯通孔的方法。一种方法包括提供具有正面和相对的背面的有源器件晶圆，该正面包括设置在介电层中的导电互连材料；提供具有填充有氧化物的通孔的载具晶圆，该通孔从载具晶圆的第一表面延伸至载具晶圆的第二表面；将有源器...

本发明涉及用于叠加度量的工具所致移位减少量的确定，其中，一个实施例涉及一种用于半导体工件加工的方法。在这一方法中，通过对第一半导体工件执行基线数目的工具所致移位(TIS)测量来确定基线TIS。在已经确定迹线TIS之后，该方法基于对第一后...

所述的形成叠层封装件(PoP)结构的机构的实施例包括将具有非焊料金属球的连接件接合至封装衬底。非焊料金属球可以包括焊料涂覆层。具有非焊料金属球的连接件可以基本上保持连接件的形状并且控制上封装件和下封装件之间的接合结构的高度。具有非焊料金...

本发明的目的在于提供一种用于分割半导体衬底或晶圆的设备和方法。在一些实施例中，分割设备包括多个切割装置。切割装置被配置为在半导体晶圆表面上并行地形成多条切割线。在一些实施例中，分割设备包括至少两个切割锯或激光模块。所公开的分割设备可通过...

一种定向半导体晶圆的方法。该方法包括：关于中心轴旋转晶圆；使旋转晶圆的多个边缘部分暴露在来自一个或多个光源的具有预定波长的光下；在旋转晶圆的多个边缘部分中的至少一部分中检测表面下标记；以及使用所检测到的表面下标记作为参考定向晶圆。本发明...

本发明公开了一种具有密度梯度平滑的MOS阵列边缘的布局，其中，将多个单位单元配置为具有部件密度的阵列。阵列的一个或多个边缘与第一边缘子阵列邻接，第一边缘子阵列的部件密度小于阵列的部件密度。第二边缘子阵列与第一边缘子阵列邻接，第二边缘子阵...

本发明公开了非易失性存储单元和方法。在一种装置中，形成在半导体衬底的一部分中的非易失性存储单元的阵列包括：第一存储单元，具有第一位单元和第二位单元；第二存储单元，具有第三位单元和第四位单元；以及列复用器，耦合至多条列线，列线中的选定一条...

本发明涉及一种用于SRAM单元的装置。其中，一种存储单元，包括：第一字线，形成在第一互连层中；第一VSS线、第一位线、电源线、第二位线和第二VSS线，形成在第二互连层中；第二字线，形成在第三互连层中。存储单元进一步包括字线跨接结构，形成...

一种用于阻止迹线上凸块结构中的邻近的金属迹线桥接的方法和器件。实施例包括确定封装元件的热膨胀系数(CTE)和处理参数。然后分析设计参数并可以基于封装元件的CTE和处理参数修改设计参数。本发明提供了迹线上凸块结构的迹线布局方法。

一种方法包括：从半导体电路的第一布局提取第一网表，并且基于第一网表估计布局依赖效应数据。使用电子设计自动化工具，基于第一网表实施半导体电路的第一仿真，并且使用电子设计自动化工具，基于电路原理图实施半导体电路的第二仿真。计算至少一个布局依...

本发明提供了以系数n减小临界尺寸(CD)的光刻工艺的方法的一个实施例，其中，n＜1。该方法包括：提供具有第一像素尺寸S1的图案生成器，以产生具有第二像素尺寸S2(S2＜S1)的交替数据网格，其中，图案生成器包括被配置在第一方向上彼此偏移...

本发明提供一种网格加密方法，其中公开了用于以因子n(n＜1)减小临界尺寸(CD)光刻工艺的方法的一个实施例。该方法包括：提供具有第一像素面积S1的图案发生器以产生具有等于n2*S1的第二像素面积S2的数据网格，其中，图案发生器包括具有多...

本发明涉及MEMS器件结构及其形成方法。其中，一种微机电系统(MEMS)器件可以包括在第一衬底上方的MEMS结构。MEMS结构包括中心静态元件、可移动元件和外静态元件。在中心静态元件与第一衬底之间的接合材料部分。在MEMS结构上方的第二...

蜂巢状锥形加热器包括灯罩，其中灯罩具有形成部分圆的外边缘。灯罩具有从灯罩顶面延伸至底面的开口。开口进一步从外边缘延伸至灯罩的中心区域。多个灯被排布为遍及所述灯罩，并被配置为将光发出至灯罩的顶面之外。本发明还公开了用于集成电路制造的蜂巢状...

本发明公开了三阱隔离二极管及其制造方法，其中，三阱隔离二极管包括具有第一导电类型的衬底以及形成在衬底中的隐埋层，隐埋层具有第二导电类型。三阱隔离二极管包括形成在衬底和隐埋层上方的外延层，外延层具有第一导电类型。三阱隔离二极管包括：第一阱...

本说明书涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)的栅极堆叠件。FinFET的示例性结构包括包含第一表面的衬底以及覆盖第一表面的一部分的绝缘区，其中绝缘区的顶部限定第二表面。FinFET还包括被设置成穿过绝缘区中的开口至第二表面之上的第一高度...