公开一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括具有第一区域和第二区域的衬底。该半导体器件还包括在位于第一区域中的衬底上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第一缓冲层，以及在位于第二区域中的衬底上方以及第一隔离区域与...

一种封装件包括在该封装件的第一区中形成的芯片和在邻近第一区的该封装件的第二区中形成的模塑料。在芯片和模塑料上形成第一聚合物层，在第一聚合物层上形成第二聚合物层，在第一和第二聚合物层之间形成多个互连结构。在第二聚合物层上形成金属绝缘体金属...

一种三维(3D)芯片堆叠件，包括与第二芯片接合的第一芯片。第一芯片包括位于第一衬底上面的第一凸块结构，而第二芯片包括位于第二衬底上面的第二凸块结构。第一凸块结构与第二凸块结构连接，而接合区域在第一凸块结构和第二凸块结构之间形成。该接合区...

本发明涉及晶圆级封装机构。形成再分布线(RDL)之前，在上述晶圆级封装(WLP)机构的实施例中，利用平坦化停止层来确定去除多余模塑料的终点。利用这种WLP机构来实现扇出和多芯片封装。这种机构也可用于制造含有不同类型的外部连接的芯片(或管...

本发明公开了一种半导体集成电路(IC)的制造方法。所述方法包括接收半导体器件，图案化第一硬掩模以在高电阻器(Hi-R)堆叠件中形成第一凹槽，去除所述第一硬掩模，在所述Hi-R堆叠件中形成第二凹槽，在所述Hi-R堆叠件中的第二凹槽中形成第...

本发明公开了一种设备，系统和方法。示例设备包括：晶圆加工室。该设备进一步包括：设置在不同区域中并可操作以加热位于晶圆加工室内的晶圆不同部分的辐射加热元件。该设备进一步包括：设置在晶圆加工室外面并可操作以监测设置在不同区域的辐射加热元件的...

包括具有鳍的衬底的方法和器件。在鳍上形成金属栅极结构。金属栅极结构包括在鳍上形成的应力金属层，使得应力金属层从STI部件延伸至第一高度，第一高度大于鳍高度。在应力金属层上形成导电金属层。本发明提供了金属栅极finFET器件及其制造方法。

本发明提供了用于调整晶圆翘曲的方法和装置，该方法包括提供具有中心部分和边缘部分的晶圆以及提供其上具有用于保持晶圆的保持区的保持台。将晶圆放置在保持台上，其中中心部分高于边缘部分，此后将晶圆按压在保持区上，使得晶圆通过自吸力吸引并保持在保...

一种电路设计系统包括被配置成生成用于电路的原理图信息和预着色信息的原理图设计工具。电路设计系统还包括被配置成在非暂时性计算机可读介质上存储原理图信息和预着色信息的网表文件以及被配置成从网表文件中提取预着色信息的提取工具。包括在电路设计系...

本发明描述的是一种在衬底的不同区域上具有五个栅极堆叠件的半导体器件及其制造方法。该器件包括半导体衬底和用于分隔衬底上的不同区域的隔离部件。不同的区域包括p型场效应晶体管(pFET)核心区域、输入/输出pFET(pFET?IO)区域、P型...

本发明公开了一种半导体结构，包括设置在衬底上的栅极结构。至少一个轻掺杂区与位于衬底中的栅极结构邻接。至少一个轻掺杂区具有第一导电类型。源极部件和漏极部件位于在衬底中的栅极结构的相对侧上。源极部件和漏极部件具有第一导电类型。源极部件位于至...

本发明公开了用于BSI图像传感器的背面结构和方法。在实施例中，提供衬底，该衬底具有传感器阵列区和外围区并且具有正面和背面；在背面上方形成底部抗反射涂层(BARC)至第一厚度，其位于传感器阵列区和外围区上方；在BARC上方形成第一介电层；...

用于形成图像传感器的方法实施例包括：在支撑光电二极管的半导体的表面上方形成抗反射涂层；在抗反射涂层上方形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成缓冲氧化物层；以及通过蚀刻选择性地去除缓冲氧化物层的一部分，该蚀刻停止层在蚀刻期间保护抗反射涂层。...

提供了一种静电放电(ESD)器件。ESD器件包括形成在ESD器件的发射极和集电极之间的介电隔离结构。在ESD事件过程中，电流基本上在介电隔离结构的下方从发射极向集电极流动，以保护相关电路。介电隔离结构被形成为深度小于发射极、集电极和其掺...

公开了一种用于控制IC器件应变的方法以及由此形成的器件。示例性实施例包括：接收具有与IC器件相对应的器件区的IC器件衬底。对器件区实施注入工艺以在器件区内形成非晶区。使IC器件衬底凹陷以在器件区中限定源极/漏极凹槽，该源极/漏极凹槽具有...

本发明公开了一种方法，包括在半导体衬底上形成第一光刻胶部件和第二光刻胶部件。在半导体衬底上形成化学材料涂层。该化学材料涂层介入第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间。然后清洗该半导体衬底；该清洗从半导体衬底去除了化学材料涂层。化学材料可以与...

本发明提供了一种混合鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括第一FinFET和第二FinFET。第一FinFET包括：由第一半导体鳍形成的第一沟道区以及第一导电类型的第一源极区和第一漏极区。第二FinFET包括由第二半导体鳍形成的第二沟道...

本发明涉及用于FinFET的结构。其中，一种SRAM阵列由多个FinFET形成，这些FinFET由鳍线形成。每个鳍线形成于衬底中，其中鳍线的底部部分由隔离区域包围，并且鳍线的上部分在隔离区域的顶表面上方突出。从SRAM阵列的第一横截面图...

形成图像传感器器件的方法包括在衬底的像素区域中形成隔离阱。该隔离阱具有第一导电类型。在隔离阱的上方的衬底上形成有栅叠层。掩模层形成在隔离阱的上方并且覆盖栅叠层的至少大部分。使用栅叠层和掩模层作为掩模，将多种掺杂物注入像素区域中，以形成掺...

本发明涉及具有自对准金属线互连件的无通孔互连结构。具体提供了一种半导体器件。该半导体器件包括设置在衬底上方的第一导线。第一导线位于第一互连层中并沿着第一方向延伸。半导体器件包括每一条均沿着不同于第一方向的第二方向延伸的第二导线和第三导线...