一种集成电路包括衬底和钝化层。钝化层包括形成在衬底上方的用于钝化的底部介电层、形成在底部介电层上方的用于钝化的掺杂介电层、和形成在掺杂介电层上方的用于钝化的顶部介电层。本发明提供了一种钝化方案。

一种背照式图像传感器包括位于第一衬底中的光电二极管以及第一晶体管，其中第一晶体管电连接至光电二极管。背照式图像传感器进一步包括形成在第二衬底中的多个逻辑电路，其中第二衬底堆叠在第一衬底上并且逻辑电路通过多个接合焊盘连接至第一晶体管。本发...

用作CMOS图像传感器ARC层的多孔硅。提供一种半导体器件。该半导体器件包括通过衬底支撑的金属化层，设置在金属化层上方的二极管和部分掺杂的硅层，设置在二极管和部分掺杂的硅层上方的缓冲层；以及设置在缓冲层上方的抗反射涂层，该抗反射涂层由多...

本发明提供了一种集成电路。该集成电路包括衬底、由衬底所支撑的第一FinFET器件，该第一FinFET具有带有不分层鳍轮廓的第一鳍，以及由衬底所支撑的第二FinFET，该第二FinFET具有带有分层鳍轮廓的第二鳍。本发明还提供了一种包括具...

本发明公开了形成WLP器件的方法和装置，该WLP器件包括通过封装第一芯片和第二芯片的模制材料被封装在一起的由第一技术制成的第一芯片和由不同于第一技术的第二技术制成的第二芯片。钝化后互连(PPI)线可以形成在模制材料上，钝化后互连(PPI...

公开了堆叠式封装(PoP)器件和封装半导体管芯的方法。在一个实施例中，PoP器件包括第一封装管芯和连接到第一封装管芯的第二封装管芯。金属柱连接到第一封装管芯。金属柱具有接近第一封装管芯的第一部分和设置在第一部分上方的第二部分。每一个金属...

本发明公开了一种具有位于衬底上方的重合标记的器件，以及使用重合标记调节多层重合对准的方法。重合标记包括位于第一层中的第一部件，该第一部件具有仅沿X方向延伸的基本上相互平行的多个第一对准部分；在位于第一层上方的第二层中的第二部件，该第二部...

一种装置包括形成在衬底上方的第一介电层、嵌在第一介电层中的第一金属线、形成在第一介电层上方的第二介电层、嵌在第二介电层中的第二金属线、形成在第一金属线和第二金属线之间的互连结构、形成在第一金属线和互连结构之间的第一碳层以及形成在第二金属...

本发明提供了一种器件，该器件包括第一封装部件和第二封装部件。第一封装部件包括位于第一封装部件顶面处的第一多个连接件以及位于该顶面处的第二多个连接件。第二封装部件位于第一多个连接件上方并且与第一多个连接件接合，其中，第二多个连接件未接合至...

本发明公开了具有用于翘曲控制的基于聚合物的材料的堆叠式封装结构。提供机械强度和翘曲控制的堆叠式封装结构包括第一封装部件、第二封装部件以及将第一封装部件连接到第二封装部件的第一组导电元件。在第一封装部件上模制第一含聚合物材料并使其围绕第一...

本发明涉及集成电路封装及其形成方法，该方法包括：在晶片的衬底上方形成电连接件；然后形成聚合物层，其中，至少部分电连接件形成在该聚合物层中。执行第一锯切步骤从而在该聚合物层中形成沟槽。第一锯切步骤完成后，执行第二锯切步骤从而将晶片锯切成多...

本发明提供了3D?IC堆叠半导体器件及制造方法。在实施例中，两个或多个半导体管芯连接至载体并被封装。露出两个或更多半导体管芯的连接件，并且减薄两个或更多半导体管芯以在相对侧上形成连接件。然后，可以以偏离或悬突位置放置附加半导体管芯。

一种形成用于半导体器件的双镶嵌金属互连件的方法。该方法包括形成低k介电层，形成穿过低k介电层的通孔，沉积牺牲层，形成穿过牺牲层的沟槽，用金属填充通孔和沟槽，去除牺牲层，然后沉积超低k介电层以填充在沟槽之间。该方法允许形成用于双镶嵌结构的...

本发明涉及制造用于半导体器件应用的自修复介电材料的结构和方法。在衬底上沉积多孔介电材料，并且暴露于处理剂颗粒中从而使得该处理剂颗粒扩散进入该介电材料中。在介电材料之上形成密集的无孔覆盖以将处理剂颗粒封装在介电材料内。然后对介电材料实施工...

本发明公开了一种任选地利用引线接合器通过形成一个或多个互连件并将该互连件装配在目标封装件上的装配焊盘上来装配半导体封装件的系统和方法。装配互连件可以包括超声波焊接互连件和装配焊盘，并且可以通过互连件端部上的装配节点来装配该互连件，其中，...

一种方法包括将第一封装元件的第一电连接件与第二封装元件的第二电连接件对准。随着第一电连接件与第二电连接件对准，在第一电连接件和第二电连接件上镀金属层。该金属层将第一电连接件接合到第二电连接件。本发明公开了通过镀层接合封装元件。

一种半导体结构可以包括位于衬底上的与诸如晶体管的其他器件同时形成的电阻器。图案化在衬底上形成的扩散阻挡层以形成电阻器和位于晶体管栅极下方的阻挡层。以与晶体管的栅极相同的方式和同时在电阻器上形成填充材料、第一连接件和第二连接件。去除填充材...

存储阵列具有包括多个存储字的多行。多个第一位中的每个第一位都与每行的存储字相关。每个第一位的状态都指示相关存储字是否存在错误。多个冗余行中的每个冗余行都包括多个冗余字。每个冗余字都与存储字相关。校正数据高速缓存具有：至少一个修复字（re...

本发明提供用于操作多等级电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法的一个实施例，该存储器单元具有连接在一起的电流控制器件和RRAM器件。该方法没有“形成”步骤，并且包括通过电流控制器件控制电流等级中的一个将RRAM器件设定为电阻等级中的...

本发明涉及用于显示器的像素，调节显示器的第一像素的电流值和/或第二像素的电流值，直到电流差值可接受为止。第一像素的电流值对应于第一像素的亮度级。第二像素的电流值对应于第二像素的亮度级。调节第一像素的电流值涉及调节第一像素的晶体管的阈值电...