本发明公开了混合互连设计及其形成方法，其中一种器件包括第一低k介电层以及位于第一低k介电层中的含铜通孔。该器件还包括位于第一低k介电层上方的第二低k介电层以及位于含铜通孔上方并与其电连接的含铝金属线。含铝金属线位于第二低k介电层中。

本发明涉及半导体器件。一种用于半导体器件的接触结构的示例性结构包括：衬底，该衬底包括主表面和主表面之下的腔；腔中的应变材料，其中应变材料的晶格常数不同于衬底的晶格常数；位于应变材料上方的含Ge介电层；以及位于含Ge介电层上方的金属层。

本发明公开了具有阻挡层的铜接触插塞，其中，一种器件包括导电层，导电层包括底部以及位于底部上方的侧壁部分，其中侧壁部分连接至底部的端部。含铝层与导电层的底部重叠，其中含铝层的顶面与导电层的侧壁部分的顶部边缘基本平齐。氧化铝层覆盖在含铝层之...

本发明提供了一种工艺兼容去耦电容器器件及其制造方法。该去耦电容器器件包括在沉积工艺中沉积的第一介电层部分，该沉积工艺还沉积用于非易失性存储单元的第二介电层部分。使用单个掩模图案化这两部分。还提供了系统级芯片(SOC)器件，SOC包括RR...

本发明涉及一种器件，该器件包括第一封装部件，以及位于第一封装部件下面的第二封装部件。第二封装部件包括位于第二封装部件的顶面上的第一电连接件，其中，第一电连接件与第一封装部件相接合。第二封装部件进一步包括位于第二封装部件的顶面上的第二电连...

本发明描述的实施方式提供了封装体和接合衬底之间接合结构的增大的重叠表面区域。通过使用封装体和/或接合结构上的伸长的接合结构并且通过使这些接合结构定向，接合结构设计成承受由热循环导致的接合应力以减少冷焊。本发明还公开了一种焊盘上凸块(BO...

本发明描述了一种形成存储器件的方法。该方法包括接收晶圆衬底，在该晶圆衬底上形成多晶硅堆叠图案，执行离子注入工艺，以在晶圆衬底中形成源极和漏极，在限定出的多晶硅堆叠图案中形成存储器栅极和控制栅极，以及在控制多晶硅堆叠图案中形成控制栅极。形...

本发明提供堆叠的半导体器件的一个实施例。堆叠的半导体器件包括第一衬底；位于第一衬底上方的第一接合焊盘；包括在其上制造的第二电子器件的第二衬底；位于第二衬底上方的第二电子器件的上方的第二接合焊盘，第二接合焊盘与第二电子器件电连接；位于第二...

本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括在工件上方的第一金属化层中形成第一导电结构，第一导电结构包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分。第二宽度不同于第一宽度。方法包括在与第一金属化层相邻...

本发明提供了一种在半导体晶圆上沉积聚硅氮烷的方法。方法包括以下步骤：将硅氮烷设置在半导体晶圆上以及加热硅氮烷以在半导体晶圆上形成聚硅氮烷。本发明还提供了一种在半导体晶圆上制备聚硅氮烷的装置。

本发明公开了将接合晶圆分离的系统及方法。在一个实施例中，一种将接合的晶圆分离的系统包括接合的晶圆的支撑件和向接合的晶圆施加剪切力的装置。该系统还包括向接合的晶圆施加真空的装置。

本发明提供了一种方法，包括将第一封装部件安置在真空船形器皿之上，真空船形器皿包括孔，并且第一封装部件覆盖该孔。第二封装部件安置在第一封装部件之上，焊料区域布置在第一和第二封装部件之间。该孔是真空的，第一封装部件由压力挤压抵靠真空船形器皿...

采用高电压反注入的功率晶体管。本文提出场效应晶体管器件(可选的是横向功率晶体管)及其形成方法，所述方法包括：提供衬底；形成掺杂的隐埋层；在位于隐埋层上的衬底中形成主阱。可以在主阱中形成漂移漏极，在主阱中以及在漂移漏极和隐埋层之间对反注入...

本发明公开了一种制造半导体集成电路(IC)的方法。该方法包括：提供半导体衬底并在其中形成栅极沟槽。该方法还包括：用功函数(WF)金属堆叠件部分地填充该栅极沟槽，并用伪填充材料(DFM)在该WF金属堆叠件上方填充剩余的栅极沟槽。子栅极沟槽...

本发明公开了一种制造半导体集成电路(IC)的方法。该方法包括接收半导体器件。该方法还包括在位于半导体衬底上的预定区域中的MG堆叠件上形成分步成形硬掩模(SFHM)，实施MG凹陷，在半导体衬底上方沉积MG硬掩模，以及使MG硬掩模凹陷以从预...

本发明涉及用于图案化形成的自组装单层，具体涉及一种用于制造半导体器件的工艺。在一些实施例中，半导体器件包括图案化表面。图案可以由自组装单层形成。公开的工艺提供可以快速沉积的自组装单层，因此，增加生产吞吐量并且减少成本，以及提供形状大致均...

本发明描述的修复数据或错误寄存器数据的存储机制的实施例使得来自不同测试阶段的修复数据存储在同一分段中，而没有使用已用过的OTPM单元的风险。所述存储机制采用BISTR模块中的副本修复数据存储。所述BISTR模块中的修复数据存储以及副本修...

提供了一种三维集成电路(3DIC)及其无线信息获取方法。所提出的3DIC包括半导体结构和形成在所述半导体结构上的无线电源器件(WPD)，该无线电源器件用于无线接收用于运行从由探测所述半导体结构、测试所述半导体结构以及从所述半导体结构中获...

本发明涉及一种制造半导体器件的方法。所述方法包括比较所述半导体器件的电路图设计与所述半导体器件的布局设计。所述方法进一步包括基于所述布局设计生成布局样式信息以及基于所述布局设计和所述电路图设计生成阵列边缘信息。所述方法进一步包括用智能伪...

本发明描述了一种优化DFM模拟的方法。该方法包括接收具有特征的集成电路(IC)设计数据，接收具有一个参数或多个参数的工艺数据，执行DFM模拟，以及优化DFM模拟。执行DFM模拟包括使用IC设计数据和工艺数据来生成模拟输出数据。优化DFM...