用于防止在加工过程中和使用中出现粘附的混合MEMS凸块设计。提供了一种微机电系统(MEMS)器件和用于形成MEMS器件的方法。质量块通过支轴悬挂在衬底表面上方的一距离处。一对感应板被设置在衬底上且位于支轴的相对侧上。金属凸块与每个感应板...

本发明公开了一种包括内含微机电系统(MEMS)器件的MEMS晶圆的器件。所述MEMS器件包括可移动元件，以及在所述MEMS晶圆中的第一开口。所述可移动元件设置在所述第一开口中。载体晶圆接合到MEMS晶圆。所述载体晶圆包括连接到所述第一开...

本发明提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括：具有横向紧邻的第一掺杂类型的主体部分和第二掺杂类型的漂移区部分的衬垫层；形成在衬垫层中的沟槽，该沟槽延伸穿过主体部分和漂移区部分的界面；沿着主体部分和漂移区部分的界面形成在沟槽中和衬垫层...

一种MOS晶体管，包括衬底、形成在衬底上方的第一区、从第一区生长的第二区、形成在第二区中的第三区、形成在第三区中的第一漏极/源极区、形成在第一沟槽中的第一栅电极、形成在第二区中并且在第一沟槽的第一漏极/源极区的相对侧上的第二漏极/源极区...

一种功率MOS晶体管包括形成在衬底的第一面上方的漏极接触塞；形成在衬底的第二面上方的源极接触塞和形成在第一漏极/源极区和第二漏极/源极区之间的沟槽。沟槽包括第一栅电极、第二栅电极，其中第一栅电极和第二栅电极的顶面与漏极区的底面对准。沟槽...

本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其形成方法。半导体结构包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层布置在第一III-V化合物层上且其组成不同于第一III-V化合物层的组成。源极部件和漏极部件布置在第二III-V化合物层上。栅电...

本发明提供一种双极性晶体管(bipolar?junction?transistor,BJT)。在一实施例中，双极性晶体管装置包括：具有集电极区(collector?region)的半导体基板，及暴露在半导体基板上的材料层。材料层中具有沟...

本发明涉及一种具有相对较低电阻的混成栅电极的功率MOSFET器件使得能够具有好的开关性能。在一些实施方式中，功率MOSFET器件具有半导体基体。外延层设置在半导体基体上。控制源电极和漏电极之间的电子流动的混成栅电极设置在延伸进外延层的沟...

用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层。本发明涉及集成电路及其形成。在一些实施例中，集成电路包括扩散阻挡层。扩散阻挡层可以布置成阻止来自Si衬底的Si和O2扩散到III族氮化物层内。扩散阻挡层可以包含Al2O3。在一些实施例中，集成电...

公开一种传感器及其制造方法，该方法包括：提供结晶半导体基板；形成第一图案化沟槽结构于结晶半导体基板中；形成一第二图案化沟槽结构于第一图案化沟槽结构中，第二图案化沟槽结构的宽度小等于第一图案化沟槽结构的宽度；形成深宽比捕获材料于第一图案化...

公开了封装背照式(BSI)图像传感器或BSI图像传感器和专用集成电路(ASIC)的方法和装置。接合焊盘阵列可以形成在BSI传感器的接合焊盘区中，其中接合焊盘阵列包括电互连的多个接合焊盘，其中接合焊盘阵列的每个接合焊盘具有小尺寸，这可减小...

本发明公开了用于CIS倒装芯片接合的互连结构及其形成方法，其中一种器件包括位于图像传感器芯片表面的金属焊盘，其中图像传感器芯片包括图像传感器。柱状凸块设置在金属焊盘上方并且电连接至金属焊盘。柱状凸块包括凸块区域和连接至凸块区域的尾部区域...

本发明提供了一种高压半导体器件。该高压半导体器件包括具有栅极、源极和漏极的晶体管。源极和漏极形成在掺杂衬底中并且通过衬底的漂移区间隔开。栅极形成在漂移区上方以及位于源极和漏极的上方。晶体管被配置成处理至少几百伏的高电压条件。高压半导体器...

一种器件包括第一封装部件、以及位于第一封装部件顶面上的第一金属迹线和第二金属迹线。该器件还包括覆盖第一封装部件的顶面、第一金属迹线和第二金属迹线的介电掩模层，其中在介电掩模层中具有暴露第一金属迹线的开口。该器件还包括第二封装部件和在第二...

本发明公开了一种形成后钝化互连件的方法，包括：在衬底上方形成钝化层，其中金属焊盘嵌入所述钝化层，在所述钝化层上沉积第一介电层，对所述第一介电层实施第一图案化工艺以形成第一开口，在所述第一开口的上方形成第一种子层，用导电材料填充所述第一开...

本发明公开了制造半导体器件的方法。在一个实施例中，在工件之上形成材料层。工件包括第一部分、第二部分以及设置在第一部分和第二部分之间的硬掩模。图案化材料层，并在图案化材料层的侧壁上形成第一间隔件。去除图案化材料层，并将第一间隔件用作蚀刻掩...

本发明提供了一种制造碳层的系统和方法。实施例包括在衬底上沉积第一金属层，该衬底包括碳。在衬底上外延生长硅化物，外延生长硅化物也在硅化物上方形成碳层。在一个实施例中，碳层是石墨烯，并且可以将该碳层转移半导体衬底以进一步处理从而在石墨烯内形...

实施例是一种包括通过衬底的表面扩散碳、通过衬底的表面注入碳以及在通过衬底表面扩散碳和注入碳之后对衬底进行退火的方法。衬底包括第一栅极、栅极间隔件、蚀刻停止层以及层间介电层。第一栅极位于半导体衬底上方。栅极间隔件沿着第一栅极的侧壁。蚀刻停...

在通过至少一个处理器实施的半导体器件设计方法中，通过不同工具来提取位于半导体部件的布局区域内部的电部件之间的至少一个第一寄生参数以及位于布局区域外部的电部件之间的至少一个第二寄生参数。提取的寄生参数结合在布局中。本发明还提供了半导体器件...

本发明公开了一种光刻工艺，如图案化半导体晶圆的光刻。该工艺包括接收其上形成有各种部件和层的入检半导体晶圆。接收单元诱发的重叠(uniiOVL)修正以及对重叠模块中的入检半导体晶圆进行形变测量。通过对形变测量结果应用预定算法，以通过形变测...