本发明提供了一种半导体封装件，包括位于半导体衬底的钝化层、位于钝化层的凸块以及位于钝化层上方并覆盖凸块的下部的模塑料层。模塑料层覆盖钝化层的侧壁。本发明还提供了半导体封装件的制造方法。

一种半导体器件组件包括具有经过处理形成表面粗糙度的表面区域的衬底。管芯通过多个连接部件安装在衬底上。底部填充物基本上填满设置在衬底和管芯之间的间隙，其中底部填充物的溢出宽度基本上受到具有表面粗糙度的区域的限制。本发明公开了控制底部填充物...

本发明公开了一种堆叠封装(PoP)器件。该堆叠封装(PoP)器件包括衬底，具有围绕该衬底的外围布置的接触焊盘阵列，安装至接触焊盘阵列内部的衬底的逻辑芯片，以及安装在数量少于所有可用的接触焊盘的接触焊盘上的非焊料凸块结构。本发明还公开了小...

本发明涉及一种用于球栅阵列(BGA)的焊料凸块。一种用于球栅阵列的焊料凸块结构包括：至少一个凸块下金属化(UBM)层；以及焊料凸块，形成在至少一个UBM层上方。焊料凸块具有凸块宽度和凸块高度，并且凸块高度与凸块宽度的比值小于1。

本发明涉及涉及具有宽摆幅输出端的D触发器，该D触发器包括内置的第一开关、电平转换器和第二开关。第一开关包括第一输入端和第一输出端。电平转换器包括连接至第一输入端的第二输入端，和第二输出端。第二开关包括连接至第二输出端的第三输入端，和第三...

具有串扰隔离的抬升式光电二极管。一种器件包括多个隔离间隔件和多个底电极，其中多个底电极中相邻的底电极通过多个隔离间隔件中的相应隔离间隔件互相绝缘。多个光电转换区与多个底电极叠置，其中多个光电转换区中的相邻的光电转换区通过多个隔离间隔件中...

一种器件包括：具有形成在其中的抬升式光电二极管的图像传感器芯片、以及位于图像传感器芯片下方并且接合至图像传感器芯片的器件芯片。该器件芯片具有电连接至抬升式光电二极管的读出电路。本发明还提供了一种具有堆叠配置的抬升式光电二极管。

本发明涉及一种场效应晶体管的栅电极。场效应晶体管的示例性结构包括衬底；栅电极，位于具有第一顶面和侧壁的衬底的上方；源极/漏极(S/D)区，至少部分设置在栅电极一侧的衬底中；间隔件，位于分布在栅电极和S/D区之间的侧壁上；以及接触蚀刻停止...

本发明公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法，其中半导体结构包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且在组成上与第一III-V化合物层不同。第二III-V化合物层具有顶面。源极部件和漏极部件设置在...

本发明公开了高电子迁移率晶体管及其形成方法，其中该高电子迁移率晶体管(HEMT)包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并在组成上不同于第一III-V化合物层。源极部件和漏极部件与第二III-V化...

一种器件包括半导体衬底、位于半导体衬底的正面处的图像传感器以及位于图像传感器上方的多个介电层。滤色器和微透镜设置在多个介电层上方并且与图像传感器对准。通孔穿透半导体衬底。再分布线(RDL)设置在多个介电层上方，其中，RDL与通孔电连接。...

本发明公开了一种用于制造3D图像传感器结构的系统和方法。所述方法包括在衬底上提供具有背照式光敏区的图像传感器，将第一介电层施加到所述衬底的与收集图像数据的衬底侧相对的第一侧，将可选为多晶硅的半导体层施加到所述第一介电层。至少一个控制晶体...

一种器件，包括具有在其中的图像传感器的传感器芯片。读出芯片位于图像传感器芯片下方并且与图像传感器芯片接合，其中，读出芯片在其中包括从基本上由复位晶体管、源极跟随器、行选择器以及它们的组合所组成的组中选择的逻辑器件。逻辑器件和图像传感器相...

一种SRAM单元连接结构包括：第一上拉晶体管和第二上拉晶体管、以及与第一上拉晶体管和第二上拉晶体管形成交叉锁存反相器的第一下拉晶体管和第二下拉晶体管。导电部件包括：第一支路，具有第一纵向方向，其中，第一支路互连第一上拉晶体管的漏极和第一...

本发明涉及了一种器件，该器件包括晶圆衬底、形成在晶圆衬底中的截顶圆锥结构和围绕着截顶圆锥结构的中部的栅极全包围(GAA)结构。该截顶圆锥结构包括形成在截顶圆锥底部的漏极、形成在垂直截顶圆锥的顶部的源极和形成在截顶圆锥的中部的接触源极和漏...

公开了包括电容器的封装结构及其形成方法。一种封装件包括管芯、封装剂和电容器。封装件具有封装件第一面和封装件第二面。管芯具有对应于封装件第一面的管芯第一面，并且具有对应于封装件第二面的管芯第二面。管芯第一面与管芯第二面是相对的。封装剂围绕...

一种用于集成电路的双密封环，包括具有第一开口的第一密封环。该第一密封环围绕集成电路。具有第二开口的第二密封环围绕第一密封环。两个连接件连接第一密封环的第一开口和第二密封环的第二开口。第一密封环、第二密封环以及两个连接件形成闭环。

本发明公开了一种减少接触电阻的集成电路的结构。该结构包括衬底；沉积在衬底上的保护层；沉积在保护层上的介电层；以及嵌入介电层中的沟槽。沟槽包括沉积在沟槽的侧壁上的原子层沉积(ALD)TaN或化学汽相沉积(CVD)TaN；沉积在ALD?Ta...

连接通孔至器件。本发明提供了用于连接通孔和由应变硅材料形成的晶体管端子的方法和器件。端子可以是NMOS或PMOS晶体管的源极或漏极，其形成在衬底内。衬底上方的第一层间介电(ILD)层内的第一接触件形成在端子上方并且与端子连接。通孔延伸穿...

本发明提供了一种用于设置中介层的系统和方法。实施例包括在中介层晶圆上形成第一区域和第二区域，其中，该中介层在第一区域和第二区域之间具有划线区域。然而，第一区域和第二区域通过位于划线区域上方的电路相互连接。在另一个实施例中，第一区域和第二...