用于球栅阵列的焊料凸块制造技术

本发明专利技术涉及一种用于球栅阵列(BGA)的焊料凸块。一种用于球栅阵列的焊料凸块结构包括：至少一个凸块下金属化(UBM)层；以及焊料凸块，形成在至少一个UBM层上方。焊料凸块具有凸块宽度和凸块高度，并且凸块高度与凸块宽度的比值小于1。

【技术实现步骤摘要】
用于球栅阵列的焊料凸块
本公开总体上涉及一种集成电路，更具体地，涉及一种用于球栅阵列(BGA)的焊料凸块。
技术介绍
球栅阵列(BGA)的一些焊料球结构经受着由于在经过焊料球的连接区域时焊料破裂引起的电连接退化。另外，阵列中的焊料球之间的焊点高度(stand-offheight(SOH))变化可能使电连接和可靠性退化。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种用于球栅阵列(BGA)的焊料凸块结构，包括：至少一个凸块下金属化(UBM)层；以及焊料凸块，形成在至少一个UBM层上方，焊料凸块具有凸块宽度和凸块高度，其中，凸块高度与凸块宽度的比值小于1。该结构进一步包括至少一个非金属芯，位于焊料凸块的内部。该结构进一步包括导电层，包围至少一个非金属芯。其中，至少一个非金属芯包括塑料。该结构进一步包括铜层，位于至少一个UBM层和焊料凸块之间。其中，焊料凸块是无铅的。其中，至少一个UBM层包括第一层和第二层。其中，第一层包括Ti、W、Cr、TiW、或其任意组合。其中，第二层包括Cu、Ni、Ni-V合金、或其任意组合。此外，还提供了一种形成用于球栅阵列(BGA)的焊料凸块结构的方法，包括：在衬底上方形成至少一个凸块下金属化(UBM)层；以及在至少一个UBM层上方形成焊料凸块，其中，焊料凸块具有凸块宽度和凸块高度，并且凸块高度与凸块宽度的比值小于1。该方法进一步包括在焊料凸块的内部形成至少一个非金属芯。其中，导电层包围至少一个非金属芯。其中，至少一个非金属芯包括环氧树脂。其中，形成至少一个非金属芯包括：在焊料凸块的上部放置非金属芯；以及回流焊料凸块。该方法进一步包括在至少一个UBM层与焊料凸块之间形成铜层。其中，至少一个UBM层包括第一层和第二层。其中，第一层包括Ti、W、Cr、TiW、或其任意组合。其中，第二层包括Cu、Ni、Ni-V合金、或其任意组合。此外，还提供了一种集成电路，包括：衬底；至少一个凸块下金属化(UBM)层，形成在衬底上方；以及无铅焊料凸块，形成在至少一个UBM层上方，其中，焊料凸块的内部具有至少一个塑料芯，其中，焊料凸块具有凸块宽度和凸块高度，并且凸块高度与凸块宽度的比值小于1。该集成电路进一步包括铜层，位于至少一个UBM层和焊料凸块之间。附图说明现将结合附图所进行的描述作为参考，其中：图1示出了根据一些实施例的用于球栅阵列(BGA)的示例性焊料凸块结构的截面图；图2示出了根据一些实施例的另一示例性焊料凸块结构的截面图；以及图3A-图3G示出了根据一些实施例的图1所示焊料凸块结构的示例性制造工艺的中间步骤。具体实施方式下面，详细讨论本专利技术各实施例的制造和使用。然而，应该理解，本公开提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的专利技术的概念。所讨论的具体实施例仅仅示出了制造和使用本专利技术的具体方式，而不用于限制本专利技术的范围。另外，本公开可以在多个实例中重复参考符号和/或字符。这种重复用于简化和清楚，并且其本身不表示所述多个实施例和/或配置之间的关系。此外，在本公开中，一个部件形成在、连接、和/或耦合到另一个部件上可以包括部件直接接触的实施例，也可以包括其他部件可以形成在部件之间使得两个部件不直接接触的实施例。另外，可以使用诸如“下面的”、“上面的”、“水平的”、“垂直的”、“在...的上面”、“在...的下面”、“在...之上”、“在...之下”、“在...的顶部”、“在...的底部”等以及它们的派生词(如，“水平地”“向下地”“向上地”等)的空间关系术语，以容易地描述本公开中的一个部件与另一个部件的关系。空间关系术语将包括含有部件的器件的不同方位。图1示出了根据一些实施例的用于球栅阵列(BGA)的示例性焊料凸块结构100的截面图。在焊料凸块结构100中，衬底101包括由粘合层104粘合在一起的玻璃衬底102和硅衬底106。在其它实施例中，衬底101可以包括硅、二氧化硅、氧化铝、蓝宝石、锗、砷化锗(GaAs)、硅和锗的合金、磷化铟(InP)、或其他适合的材料。此外，衬底101可以具有一个衬底层而不是图1所示的多个衬底层。重布线层(RDL)108是用于电连接的导电层。例如，重布线层108连接位于其它位置的输入/输出(I/O)焊盘。在一些实施例中，重布线层108包括金属，如铜、铝、或其他适合的材料。钝化层110在一些实施例中包括氧化物或者氮化物，并且降低表面的化学和/或电反应性。焊料凸块结构100包括凸块下金属化(UBM)层112和114。在一些实施例中，UBM层的第一层112包括Ti、W、Cr、TiW、其任何组合、或其他适合的材料。第二层114包括Cu、Ni、Ni-V合金、其任何组合、或其他适合的材料。在一些实施例中，UBM层112和114的直径介于20μm到600μm的范围之间。例如，通过溅射能够形成UBM层112和114。尽管图1中示出了两个UBM层112和114，但是UBM可以使用不同数量的层。铜层116形成于第二(UBM)层114的上方。在一些实施例中，铜层116的厚度(高度)介于5μm至20μm的范围之间。焊料凸块122形成于铜层116和第二(UBM)层114的上方。焊料凸块122具有凸块宽度Da和凸块高度Db。在一些实施例中，比值α＝Da/Db的范围是0.05≤α＜1，因此，与球形焊料球的形状相比，焊料凸块122的形状相对平坦。这就为焊料凸块122提供了更大的接触面积，从而降低了焊料凸块122的缺陷电连接并且提高了可靠性。根据应用，由UMB层112和114的直径以及期望的比值α来确定凸块高度Db。焊料凸块122可以包括任何适合的材料，并且，在一些实施例中，无铅材料用于焊料凸块122。图1所示的焊料凸块122的内部具有一个非金属芯118，且在其它实施例中可以具有多个非金属芯118或者没有非金属芯。非金属芯118包括环氧树脂、聚合物、或其他适合的材料，并且在此备选地被称为塑料芯。在一个实例中，二乙烯基苯交联聚合物(divinylbenzenecross-linkedpolymer)用于塑料芯118。在一些实施例中，塑料芯118的直径介于10μm到700μm的范围之间。在一些实施例中，导电层120包围塑料芯118。导电层120可以包括铜或其他适合的材料。在一些实施例中，导电层120的厚度介于3μm到20μm的范围之间。塑料芯118为组装提供了稳定的焊点高度，这样，有助于避免发生焊料桥接的问题。并且，塑料芯118有助于分散焊料凸块结构100中的应力以及避免或减少焊料破裂。因此，提高了可靠性。图2示出了根据一些实施例的另一个示例性焊料凸块结构200的截面图。除了具有三个塑料芯118之外，焊料凸块结构200与图1所示的焊料凸块结构100相似。在其它实施例中，可以有其他任意数量的塑料芯118或者没有塑料芯。图3A-图3G示出了根据一些实施例的图1所示焊料凸块结构的示例性制造工艺的中间步骤。在图3A中，光刻胶层302(例如，干膜阻剂(DFR))沉积在UBM层112和114的上方，并且通过光刻被部分地去除，以露出第二UBM层114。在一些实施例中，第一(UBM)层112包括Ti、W、Cr、TiW、其任何组合、或其他适合的材料。第二(UBM)层114包括Cu、Ni、Ni-V本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于球栅阵列(BGA)的焊料凸块结构，包括：至少一个凸块下金属化(UBM)层；以及焊料凸块，形成在所述至少一个UBM层上方，所述焊料凸块具有凸块宽度和凸块高度，其中，所述凸块高度与所述凸块宽度的比值小于1。

【技术特征摘要】
2012.07.31 US 61/677,891;2012.08.10 US 13/572,3021.一种用于球栅阵列(BGA)的焊料凸块结构，包括：至少一个凸块下金属化(UBM)层；焊料凸块，形成在所述至少一个凸块下金属化层上方，所述焊料凸块具有凸块宽度和凸块高度，其中，所述凸块高度与所述凸块宽度的比值小于1；所述凸块高度由所述至少一个凸块下金属化层的直径和所述比值确定；以及至少一个非金属芯，位于所述焊料凸块的内部。2.根据权利要求1所述的结构，进一步包括导电层，包围所述至少一个非金属芯。3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述至少一个非金属芯包括塑料。4.根据权利要求1所述的结构，进一步包括铜层，位于所述至少一个凸块下金属化层和所述焊料凸块之间。5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述焊料凸块是无铅的。6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述至少一个凸块下金属化层包括第一层和第二层。7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述第一层包括Ti、W、Cr、TiW、或其任意组合。8.根据权利要求6所述的结构，其中，所述第二层包括Cu、Ni、Ni-V合金、或其任意组合。9.一种形成用于球栅阵列(BGA)的焊料凸块结构的方法，包括：在衬底上方形成至少一个凸块下金属化(UBM)层；在所述至少一个凸块下金属化层上方形成焊料凸块，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张容华，黄震麟，林俊成，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：