半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种半导体装置，其具备半导体芯片、与前述半导体芯片相对配置的电路基板、以及介于前述半导体芯片和前述电路基板之间的树脂层，前述半导体芯片和前述电路基板在彼此相对的面上具有配线，前述半导体芯片的前述配线和前述电路基板的前述配线相互进行了倒装芯片连接。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本技术涉及半导体装置。
技术介绍
以前，为了将半导体芯片与基板连接，广泛应用使用金线等金属细线的引线接合方式。另ー方面，为了应对针对半导体装置的高功能化、高集成化、高速化等要求，在半导体芯片或基板上形成被称作凸块的导电性突起，将半导体芯片与基板直接连接的倒装芯片连接方式(FC连接方式)正在普及(例如，专利文献I)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008 — 294382号公报
技术实现思路
技术要解决的问题本技术的目的在于，提供ー种耐回流焊性和连接可靠性优异的半导体装置。解决问题的方法本技术的ー个方式提供一种半导体装置，其具备半导体芯片、与上述半导体芯片相对配置的电路基板、以及介于上述半导体芯片和上述电路基板之间的树脂层，上述半导体芯片和上述电路基板在彼此相対的面上具有配线，上述半导体芯片的上述配线和上述电路基板的上述配线相互进行了倒装芯片连接。本方式中，上述半导体芯片的厚度可以设为30?750 V- m。另外本方式中，上述半导体芯片可以具有各边的长度为I?40mm的大致矩形形状。另外本方式中，上述电路基板可以是有机基板，此时上述电路基板的面内方向的热膨胀系数优选为2?20 (1/K)。另外本方式中，上述电路基板的上述配线可以包含选自银、铜和焊锡所组成的组中的至少ー种金属。另外本方式中，上述倒装芯片连接可以是使用了连接凸块的连接，上述连接凸块可以包含选自银、铜和焊锡所组成的组中的至少ー种金属。另外本方式中，上述电路基板的上述配线的间距可以设为5?200 iim。另外本方式中，上述电路基板的上述配线的间隙可以设为5?100 iim。另外本方式中，上述电路基板可以具有抗蚀图形。另外本方式中，在温度80 0C、相対湿度60 %条件下放置48小时时的上述半导体芯片和上述电路基板之间的260°C下的粘接力減少率优选为30%以下。这样的半导体装置的耐回流焊性优异。另外，这样的減少率可以通过使用后述包含特定焊剂的粘接剂来实现。另外本方式中，上述树脂层优选由含有选自2—甲基戊ニ酸、甲基丁ニ酸、2，2 —ニ甲基戊ニ酸和3，3 一二甲基戊ニ酸所组成的组中的至少ー种焊剂的粘接剂的固化物构成。通过采用这样的树脂层，能够满足上述的粘接力減少率的规定，可获得耐回流焊性优异的半导体装置。本技术的其他方式提供一种半导体装置，其具备第一半导体芯片、与上述第一半导体芯片相对配置的第二半导体芯片、以及介于上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片之间的树脂层，上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片在彼此相対的面上具有配线，上述第一半导体芯片的上述配线和上述第二半导体芯片的上述配线相互进行了倒装芯片连接。本方式中，上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片的厚度可以设为30?750 u m0另外本方式中，上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片可以具有各边的长度为I?40mm的大致矩形形状。另外本方式中，上述倒装芯片连接可以是使用了连接凸块的连接，上述连接凸块可以包含选自银、铜和焊锡所组成的组中的至少ー种金属。另外本方式中，上述第一半导体芯片的上述配线和上述第二半导体芯片的上述配线的间距可以各为5?200 ii m。另外本方式中，上述第一半导体芯片的上述配线和上述第二半导体芯片的上述配线的间隙可以各为5?IOOii m。另外本方式中，在温度80 V、相対湿度60 %条件下放置48小时时的上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片之间的260°C下的粘接力減少率优选为30%以下。这样的半导体装置的耐回流焊性优异。另外这样的減少率可以通过使用后述包含特定焊剂的粘接剂来实现。另外本方式中，上述树脂层优选由含有选自2 —甲基戊ニ酸、甲基丁ニ酸、2，2 —ニ甲基戊ニ酸和3，3 一二甲基戊ニ酸所组成的组中的至少ー种焊剂的粘接剂的固化物构成。通过采用这样的树脂层，能够满足上述的粘接力減少率的规定，可获得耐回流焊性优异的半导体装置。本技术的另外的方式提供一种半导体装置，其具备在主面上具有配线的中介基板(Interposer Substrate)、在上述中介基板上隔着第一树脂层层叠的第一半导体芯片、以及在上述第一半导体芯片上隔着第二树脂层层叠的第二半导体芯片，上述第一半导体芯片具有在与上述中介基板相対的主面上设置的第一配线、在该主面的相反侧的面上设置的第二配线、以及连接上述第一配线和上述第二配线的贯通电极，上述第二半导体芯片具有在与上述第一半导体芯片相对的主面上设置的第三配线、在该主面的相反侧的面上设置的第四配线、以及连接上述第三配线和上述第四配线的贯通电极，上述中介基板的上述配线和上述第一半导体芯片的上述第一配线相互进行了倒装芯片连接，上述第一半导体芯片的上述第二配线和上述第二半导体芯片的上述第三配线相互进行了倒装芯片连接。本方式中，在上述第二半导体芯片上可以进ー步层叠有一个或多个半导体芯片。另外本方式中，上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片的厚度可以为30?750 u m0另外本方式中，上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片可以具有各边的长度为I?40mm的大致矩形形状。另外本方式中，上述倒装芯片连接可以是使用了连接凸块的连接，上述连接凸块可以包含选自银、铜和焊锡所组成的组中的至少ー种金属。另外本方式中，上述第一半导体芯片的上述配线和上述第二半导体芯片的上述配线的间距可以各为5?200 ii m。另外本方式中，上述第一半导体芯片的上述配线和上述第二半导体芯片的上述配线的间隙可以各为5?IOOii m。另外本方式中，在温度80 V、相対湿度60 %条件下放置48小时时的上述中介基板和上述第一半导体芯片之间的260°C下的粘接力減少率优选为30%以下。这样的半导体装置的耐回流焊性优异。另外这样的減少率可以通过使用后述的含有特定焊剂的粘接剂形成第一树脂层来实现。另外本方式中，在温度800C、相対湿度60 %条件下放置48小时时的上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片之间的粘接力減少率优选为30%以下。这样的半导体装置的耐回流焊性优异。另外这样的減少率可以通过使用后述的含有特定焊剂的粘接剂形成第一树脂层来实现。另外本方式中，上述第一树脂层和/或上述第二树脂层优选由含有选自2 —甲基戊ニ酸、甲基丁ニ酸、2，2 —二甲基戊ニ酸和3，3 —二甲基戊ニ酸所组成的组中的至少ー种焊剂的粘接剂的固化物构成。通过采用这样的树脂层，能够满足上述的粘接力減少率的规定，可获得耐回流焊性优异的半导体装置。技术的效果根据本技术，可提供耐回流焊性和连接可靠性优异的半导体装置。【附图说明】图1是表示第一实施方式的半导体装置的示意剖面图。图2是表示第二实施方式的半导体装置的示意剖面图。图3是表示第三实施方式的半导体装置的示意剖面图。符号说明1:半导体芯片、2:配线、3:电路基板、4:配线、5:树脂层、6:电极焊盘、7:焊锡球、11:第一半导体芯片、12:配线、13:第二半导体芯片、14:配线、15:树脂层、21:中介基板、22:配线、23:电极焊盘、24:焊锡球、25:第一树脂层、31:第一半导体芯片、32:第一配线、33:第二配线、34:贯通电扱、35:第二树脂层、41:第二半导体芯片、42:第三配线、43:第四配线、44:贯通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：?半导体芯片、?与所述半导体芯片相对配置的电路基板、以及?介于所述半导体芯片和所述电路基板之间的树脂层，?所述半导体芯片和所述电路基板在彼此相对的面上具有配线，?所述半导体芯片的所述配线和所述电路基板的所述配线相互进行了倒装芯片连接。

【技术特征摘要】
2012.02.24 JP 2012-038544;2012.02.24 JP 2012-03851.一种半导体装置，其特征在于，具备: 半导体芯片、 与所述半导体芯片相对配置的电路基板、以及 介于所述半导体芯片和所述电路基板之间的树脂层， 所述半导体芯片和所述电路基板在彼此相対的面上具有配线， 所述半导体芯片的所述配线和所述电路基板的所述配线相互进行了倒装芯片连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体芯片的厚度为30~750 u m03.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体芯片具有各边的长度为I~40mm的矩形形状。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述电路基板为有机基板，所述电路基板的面内方向的热膨胀系数为2~20 (1/K)。5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述电路基板的所述配线为包含选自银、铜和焊锡所组成的组中的至少ー种金属的配线。6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在干， 所述倒装芯片连接为使用了连接凸块的连接， 所述连接凸块为包含选自银、铜和焊锡所组成的组中的至少ー种金属的连接凸块。7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述电路基板的所述配线的间距为5~200 ii m。8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述电路基板的所述配线的间隙为5~100 u m。9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述电路基板具有抗蚀图形。10.一种半导体装置，其特征在于，具备: 第一半导体芯片、 与所述第一半导体芯片相对配置的第二半导体芯片、以及 介于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的树脂层， 所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片在彼此相対的面上具有配线， 所述第一半导体芯片的所述配线和所述第二半导体芯片的所述配线相互进行了倒装芯片连接。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的厚度为30~750 u m。12.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片具有各边的长度为I~40_的矩形形状。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：本田一尊，永井朗，佐藤慎，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：实用新型
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