本发明公开了具有嵌入式散热器的器件及其形成方法。载体衬底可以包括载体、粘合层、基底膜层和晶种层。形成具有散热器开口和通孔开口的图案化掩模。可以采用喷镀工艺在图案掩模开口中同时形成通孔和散热器，管芯通过管芯附接层附接至散热器。在管芯和散热...

本发明提供了一种凸块结构的实施例，包括：形成在衬底上的接触元件；覆盖衬底的钝化层，钝化层具有露出接触元件的钝化开口；覆盖钝化层的聚酰亚胺层，聚酰亚胺层具有露出接触元件的聚酰亚胺开口；电连接至接触元件的凸块下金属化层（UBM）部件，凸块下...

本发明提供了一种半导体加工装置的一个实施例。该半导体加工装置包括：被设计成接收晶圆载体的装载锁；被配置成保持从装载锁接收的晶圆载体并对该晶圆载体实施氮气净化的内晶圆载体缓冲区以及被设计成对来自晶圆载体的晶圆实施半导体工艺的加工模块。本发...

一种铝互连装置，包括：在衬底上方形成的金属结构，其中金属结构由铜铝合金形成；在金属结构下方的形成第一合金层；在第一合金层下方形成的第一阻挡层，其中通过在热工艺期间第一合金层和邻近的介电层之间的反应产生第一阻挡层。

本发明提供了3D堆叠背照式图像传感器及其制造方法。该3D图像传感器包括其上带有像素阵列的上部芯片。第二芯片包括与像素阵列的列和行相关的多个列电路和行电路，并且这些列电路和行电路被设置在对应的列电路和行电路区域中，这些列电路和行电路区域被...

本发明涉及梯状凸块结构及其制造方法，其包括通过衬底支撑的凸块下金属化(UBM)部件，安装在该UBM部件上的铜柱，具有锥形弯曲轮廓的铜柱，该铜柱在一个实施例中具有大于顶部临界尺寸(CD)的底部临界尺寸(CD)，安装在铜柱上的金属盖以及安装...

本发明公开了三维(3D)扇出封装机制。形成半导体器件封装件的机制由于其相对简单的工艺流程而提供了低成本的制造工艺。通过形成具有能够将一个或多个管芯接合到封装结构下方的(一层或多层)再分配层的互连结构，大幅减少了整个封装件的翘曲。此外，在...

用于垂直隧道场效应晶体管单元的系统和方法。本发明公开了一种半导体器件单元。该半导体器件单元包括具有栅极表面和接触表面的晶体管栅极，以及通过源极接触件接触的源极区。半导体器件单元还包括通过漏极接触件接触的漏极区，其中漏极接触件相对于晶体管...

一种集成电路器件和一种用于制造集成电路器件的工艺。该集成电路器件包括具有在其中形成沟槽的衬底，占据沟槽的第一隔离材料层，形成在第一隔离材料层上的第二隔离材料层，位于衬底上并且水平地与第二隔离材料层相邻的外延生长硅层，以及形成在外延生长硅...

本发明公开了用于多栅极晶体管的装置和装置，其中，该装置包括具有第一晶体取向的衬底和有源区域，有源区域的上部具有第二晶体取向并且有源区域的上部在两侧被栅极结构环绕。该装置还包括被隔离区域围绕的沟槽，有源区域的上部位于隔离区域的顶面之上。

本发明公开了一种叠层封装半导体器件和形成该半导体器件的方法，该半导体器件包括具有至少一个第一管芯和至少一个第二管芯的封装件。该半导体器件还包括将至少一个第一管芯和至少一个第二管芯电连接至衬底的一组导电元件。该半导体器件还包括位于至少一个...

本发明公开了半导体封装件及其制造方法，其中该半导体封装件包括：半导体衬底、位于半导体衬底上方的接触焊盘、位于接触焊盘上方的互连层、形成在接触焊盘和互连层之间的钝化层、位于互连层上方的凸块以及位于互连层和钝化层上方并覆盖凸块的下部的保护层...

本发明提供一种集成电路结构的形成方法，该方法包括下列步骤:提供一半导体基底;形成多个图案化元件于半导体基底上，其中图案化元件之间具有沟槽;以第一填沟材料填入该沟槽，其中第一填沟材料具有第一上表面，其高于图案化元件的上表面;进行第一平坦化...

形成封装堆叠(PoP)器件的实施例方法包括：在载体上临时安装衬底；在衬底上堆叠第一管芯，管芯和衬底中至少一个具有与载体失配的热膨胀系数；以及在第一管芯上堆叠第二管芯。衬底可以由有机衬底、陶瓷衬底、硅衬底、玻璃衬底、和层压衬底中的一个形成。

本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，为了减少因接触元件误对准造成的接触阻值的变化。该方法包括：形成一非平面晶体管于一基材上，该非平面晶体管包括位于一鳍之中的源极/漏极区，该鳍包括一顶面及多个侧壁；形成一层间介电层于该非平面晶体...

本发明提供一种方法，该方法包括：提供存储先前下线的集成电路(IC)布局的至少一部分的局部网表的非易失性机器可读存储介质，该局部网表代表用于制造具有使IC满足第一规格值的IC布局的IC的光掩模组。计算机识别IC布局中多个第一器件的固有子器...

本发明提供了一种半导体存储器件。该器件包括：具有反铁磁材料并设置在第一电极上方的固定层；设置在该固定层上方的被固定层；设置在该被固定层上方的隧道层，设置在该隧道层上方的自由层以及设置在该自由层上方的保护层。该保护层包括金属氧化物和金属氮...

本发明公开了具有垂直功率MOS晶体管的集成电路，其中，该集成电路包括形成在相同半导体管芯中的多个横向器件和准垂直器件。准垂直器件包括两个沟槽。在第一漏极/源极区和第二漏极/源极区之间形成第一沟槽。第一沟槽包括形成在第一沟槽的底部中的介电...

一种器件包括具有第一导电类型的半导体层，以及位于所述半导体层上方的第一体区和第二体区，其中所述第一体区和第二体区具有与第一导电类型相反的第二导电类型。具有所述第一导电类型的掺杂半导体区设置在第一体区和第二体区之间并且接触所述第一体区和所...

本申请描述的实施例在封装结构的边缘附近提供了伸长的接合结构，使得铜柱的基本上朝向封装结构的中心的一侧免于焊料润湿。焊料润湿发生在这些接合结构的铜柱的另一侧。伸长的接合结构以不同的排列布置并且降低了相邻接合结构之间间隔缩短的可能性。此外，...