一种器件包括第一MOS器件和与第一MOS器件级联以形成第一指状物的第二MOS器件。第一MOS器件的漏极和第二MOS器件的源极被接合以形成第一公共源极/漏极区。该器件进一步包括第三MOS器件和与第三MOS器件级联以形成第二指状物的第四MO...

本文提供了一种或多种用于形成镶嵌间隙结构的技术或系统。在一些实施例中，在第一蚀刻终止层(ESL)和ESL密封区域之间形成间隙。例如，通过去除氧化物区域之上的低k(LK)介电区域的一部分和去除氧化物区域来形成间隙。在一些实施例中，至少因为...

一种结构包括具有第一金属凸块的第一半导体芯片和具有第二金属凸块的第二半导体芯片。该结构还包括电连接第一半导体芯片和第二半导体芯片的焊料接合结构，其中焊料接合结构包括位于第一金属凸块和第二金属凸块之间的金属间化合物区域，其中金属间化合物区...

一种方法包括：接收衬底，该衬底具有内嵌在衬底中的材料部件，其中，接收衬底包括接收形成材料部件时所生成的第一水准数据和第一覆盖数据；在衬底上沉积抗蚀膜；以及使用预测的覆盖校正数据对抗蚀膜进行曝光，以形成覆盖衬底上的材料部件的抗蚀图案，其中...

本发明公开了扇出晶圆级封装结构和用于形成封装结构的方法，该方法可包括将管芯和通孔施加到具有粘合层的载体上方并且在载体上方和通孔周围形成模制衬底，露出通孔和管芯上的安装件的端部。通孔可位于具有分隔通孔的一个或多个介电层的通孔芯片中。通孔芯...

本发明揭示一种集成电路组件及此集成电路组件的制造方法。所揭示的方法提供集成电路组件在表面近接与顶端深度的改量控制。在一实施例中，此方法通过形成轻掺杂源极与漏极(LDD)区来达成改良的控制，此LDD区作为一蚀刻终止。此LDD区可在进行来形...

本发明为利用单图案化隔离件技术的双图案化技术，具体涉及一种形成集成电路结构的方法，包括在晶片表示上形成平行于第一方向的第一和第二多个轨迹。该第一和第二多个轨迹被分配在交替的图案中。在第一多个轨迹上而不在第二多个轨迹上布线第一多个图案。在...

本发明提供了提升MOSFET性能和NBTI的方法和结构，并公开了形成p型场效晶体管（pFET）结构的方法的一个实施例。该方法包括：在半导体衬底上形成掩模层，掩模层包括开口，开口露出半导体衬底的半导体区；通过掩模层的开口对半导体衬底执行n...

一种电压缩放电路包括第一关键路径和边沿检测单元。第一关键路径包括输入端和输出端。边沿检测单元包括第一输入端、第二输入端、计数器和时间-数字转换器（TDC）。第一关键路径的输入端与边沿检测单元的第一输入端电连接，而该关键路径的输出端与边沿...

POP结构及其形成方法。一种器件包括与底部封装件接合的顶部封装件。底部封装件包括模塑材料；在模塑材料中模制的器件管芯；穿透模塑材料的组件通孔(TAV)；以及位于器件管芯上方的再分配线。顶部封装件包括封装在其中的分立无源器件。分立无源器件...

可变电阻存储结构及其形成方法。一种半导体结构包括可变电阻存储结构。该半导体结构还包括介电层。可变电阻存储结构的一部分位于介电层上方。可变电阻存储结构包括嵌入介电层中的第一电极；设置在第一电极和一部分介电层的上方的可变电阻层；设置在可变电...

本发明涉及一种包括电阻可变存储结构的半导体结构。该半导体结构还包括导电结构。电阻可变存储器结构位于导电结构上方。电阻可变存储器结构包括位于导电结构上方的第一电极。电阻可变层设置在第一电极上方。覆盖层设置在电阻可变层上方。覆盖层包括第一金...

本发明提供半导体器件。该器件包括衬底，通过第一半导体材料形成的鳍结构，位于鳍的一部分上的栅极区，在衬底上且通过栅极区隔开的源极区和漏极区，以及在源极区和漏极区上的源极/漏极堆叠件。源极/漏极堆叠件的下部通过第二半导体材料形成并且接触栅极...

一种器件包括半导体衬底；延伸至半导体衬底中的隔离区；高于隔离区的顶面的多个半导体鳍；以及多个栅叠层。每一个栅叠层都包括位于多个半导体鳍中的一个半导体鳍的顶面和侧壁上的栅极介电层和位于栅极介电层上方的栅电极。该器件进一步包括多个半导体区，...

注入隔离器件及其方法。一种器件包括半导体衬底和从半导体衬底的顶面延伸到半导体衬底中且围绕有源区域的注入隔离区域。栅极电介质设置在半导体衬底的有源区域上方并且延伸到注入隔离区域上方。栅电极设置在栅极电介质上方，两个端部覆盖硬掩模位于注入隔...

本发明公开了一种器件，包括半导体衬底和从半导体衬底的顶面延伸至半导体衬底内且围绕有源区的注入隔离区。栅极介电层沉积在半导体衬底的有源区上方，其中所述栅极介电层在注入隔离区上方延伸。栅电极沉积在栅极介电层上方并且端盖介电层在注入隔离区上方...

本发明公开了一种用于分析半导体加工系统的异常的方法，提供了对用于多个加工晶圆中的每个加工晶圆的多个工艺步骤的每个工艺步骤处与多个工具中的每个工具相关联的生产历史进行方差分析，以及确定关键工艺步骤。对每个工艺步骤处的多个晶圆的多个测量值进...

一种计算机实现方法包括访问存储在有形永久机器可读介质中的3D-IC模型，在计算机处理器中输入功率曲线，基于3D-IC模型生成瞬态温度曲线，确定在相应的运行时间间隔中和3D-IC设计的多个点的相应位置上的潜在热惩罚，以及输出表示潜在热惩罚...

本发明提供了一种识别车间中的气态分子污染(AMC)泄露源的方法。该方法包括在车间中分布传感器，进行车间中的正向气流的计算流体动力学(CFD)仿真，设定车间中的正向气流的CFD仿真的反演模型，利用车间中的AMC测量数据建立传感器的空间响应...